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H5TC4G63EFR-PBI 发布时间 时间:2025/9/2 3:11:21 查看 阅读:7

H5TC4G63EFR-PBI 是由SK海力士(SK Hynix)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于高带宽存储器(HBM, High Bandwidth Memory)类别,专为高性能计算、图形处理和人工智能等领域设计。该型号的封装形式为3D堆叠,采用TSV(Through-Silicon Via,硅通孔)技术,实现了更高的带宽和更小的封装尺寸。H5TC4G63EFR-PBI 的命名规则中,'H5TC'表示HBM类型,'4G'表示容量为4GB,'63E'表示堆叠层数和带宽等级,'FR'表示封装类型,'PBI'表示电源管理接口。

参数

容量:4GB
  类型:HBM(高带宽内存)
  带宽:约1024 Gbps
  数据速率:2.4 Gbps
  封装类型:3D堆叠TSV
  电源电压:1.2V
  接口:HBM接口
  工作温度:-40°C至+85°C

特性

H5TC4G63EFR-PBI 的主要特性之一是其卓越的带宽性能,能够提供高达1024 Gbps的数据传输速率,这使其非常适合用于需要大量数据处理的应用场景,如高性能计算(HPC)、图形处理单元(GPU)、人工智能(AI)加速器和网络交换设备。其采用的3D堆叠TSV技术不仅提升了数据传输效率,还显著减小了芯片的体积,使得该内存模块能够适应高密度的PCB布局设计。此外,H5TC4G63EFR-PBI 的工作电压为1.2V,相较于传统DDR内存,功耗更低,有助于提升系统的能效比。该芯片还支持多种电源管理模式,可以根据系统的负载情况动态调整功耗,进一步优化整体能效。在可靠性方面,H5TC4G63EFR-PBI 采用了先进的制造工艺和封装技术,能够在较宽的温度范围内稳定工作,适用于工业级和高端消费类应用。其设计还考虑了信号完整性和抗干扰能力,确保在高速运行状态下仍能保持数据传输的稳定性。此外,H5TC4G63EFR-PBI 的HBM接口支持与GPU或其他计算单元的紧密集成,简化了系统架构,减少了数据延迟,从而提升了整体性能。这种接口设计也使得内存带宽能够更有效地被利用,避免了传统内存架构中的瓶颈问题。

应用

H5TC4G63EFR-PBI 广泛应用于需要高带宽内存的高性能计算系统,例如高端图形处理卡(GPU)、人工智能训练和推理加速卡、网络处理器、FPGA加速卡以及高端游戏显卡。由于其出色的带宽表现和低功耗特性,该芯片也被用于数据中心的AI推理服务器和高性能计算集群。在图形处理领域,H5TC4G63EFR-PBI 可作为GPU的本地显存,显著提升图形渲染速度和图像质量,适用于4K/8K超高清视频处理和虚拟现实(VR)应用。在人工智能方面,该内存芯片能够为深度学习模型提供快速的数据访问能力,从而加快训练和推理过程。此外,H5TC4G63EFR-PBI 还适用于需要大量数据吞吐的网络设备,如高速路由器和交换机,以支持大规模数据流量的处理。在嵌入式系统中,该芯片可用于高性能图像识别、自动驾驶辅助系统(ADAS)以及工业自动化设备中的高速数据缓存。

替代型号

H5TC4G63AMR-PBI

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