时间：2025/5/7 11:02:13
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CBG322513U601T 是一款基于碳化硅（SiC）技术的 MOSFET 功率器件，主要用于高频开关应用。该器件具有低导通电阻、高效率和快速开关特性，适用于工业电源、新能源汽车逆变器、太阳能逆变器等对功率密度和效率要求较高的领域。
CBG322513U601T 的设计使其能够在高电压和高频率条件下运行，同时减少能量损耗并提高系统的整体性能。
额定电压：1200V
额定电流：40A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：85nC
反向恢复时间：9ns
最大工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：TO-247-4L
CBG322513U601T 具有以下显著特点：
1. 高电压承受能力：额定电压为 1200V，适用于高压场景下的开关操作。
2. 极低的导通电阻：仅为 2.5mΩ，大幅降低了导通时的能量损耗。
3. 快速开关性能：具备超低的栅极电荷（85nC）和反向恢复时间（9ns），适合高频应用。
4. 耐高温能力：能在 -55℃ 至 175℃ 的宽温范围内可靠工作，适应各种恶劣环境。
5. 碳化硅技术优势：相比传统硅基 MOSFET，CBG322513U601T 提供更高的效率和更强的热稳定性。
6. 四脚 TO-247 封装：提供更好的电气隔离和散热性能。
CBG322513U601T 主要应用于以下领域：
1. 工业电源：如开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）等。
2. 新能源汽车：包括主驱逆变器、车载充电器（OBC）和 DC-DC 转换器。
3. 太阳能逆变器：用于将光伏电池产生的直流电转换为交流电。
4. 风能发电系统：在风力发电机组中实现电力调节。
5. 电机驱动：支持高效电机控制和变速驱动系统。
6. 充电桩：用于电动汽车快充站中的功率转换模块。
CMF20120D, C3M0040120K
