标称频率：10.0 MHz
　　频率容差：±30 ppm（典型值）
　　工作温度范围：-20°C 至 +70°C 或 -40°C 至 +85°C（依具体批次而定）
　　负载电容：18pF 或 20pF（依设计需求）
　　激励电平：10 μW 至 100 μW
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：≥ 100 MΩ（在100V DC下）
　　振动等级：符合EIA-364标准

KF55HM-10.0-4P 晶振采用了高品质的石英晶体材料和稳定的封装工艺，确保其在各种工作环境下都能提供高度稳定的频率输出。该器件具备良好的频率稳定性，通常在±30 ppm以内，适用于对时钟精度要求较高的应用场合。
　　其四脚封装（4P）设计不仅提供了机械上的稳定性，还增强了电气连接的可靠性，适用于PCB板上的通孔插装（Through Hole）或表面贴装（SMD）工艺。封装材料通常为金属外壳，具备良好的抗电磁干扰（EMI）能力。
　　此外，该晶振在工作温度范围内具有优异的温度稳定性，能够在-20°C至+70°C或-40°C至+85°C的环境中稳定运行，满足大多数工业级应用的需求。其低相位噪声特性也使其适用于高速数据传输、精密测量设备和嵌入式系统等对信号质量要求较高的场景。
　　在电气特性方面，KF55HM-10.0-4P 的负载电容通常为18pF或20pF，用户可以根据具体的电路设计选择合适的匹配电容，以确保最佳的工作性能。激励电平范围在10 μW到100 μW之间，能够适应多种振荡电路的设计需求。

KF55HM-10.0-4P 常用于以下应用场景：
　　1. **通信设备**：如路由器、交换机、基站模块等，作为主时钟源，确保数据传输的同步性和稳定性。
　　2. **工业自动化控制系统**：包括PLC（可编程逻辑控制器）、工业计算机、传感器模块等，提供高精度的时钟信号以支持实时控制和数据采集。
　　3. **消费类电子产品**：如智能家电、电子玩具、智能穿戴设备等，用于主控芯片的时钟源，提升系统运行的稳定性。
　　4. **嵌入式系统**：包括单片机开发板、ARM开发平台、FPGA开发系统等，为系统提供精准的时钟基准，确保程序运行的时序正确。
　　5. **测试与测量设备**：如示波器、频谱分析仪、信号发生器等，作为参考时钟源，保证测量数据的准确性。

CXO-10045-10M、HC-49SMD-10.0MHZ、ECS-100-4-10M