时间：2025/6/18 19:18:47
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FN15N680J500PNG是一款由Fairchild（现为ON Semiconductor）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合于多种高频功率转换应用。它主要应用于电源管理、电机驱动以及各类工业控制场景中。
该芯片设计用于处理高电流负载，并且能够承受相对较高的电压，从而在不同环境下保持稳定的性能表现。
型号：FN15N680J500PNG
最大漏源电压VDS：680V
最大连续漏极电流ID：15A
最大栅源电压VGS：±20V
导通电阻RDS(on)：3.4Ω（典型值，当VGS=10V时）
总功耗PD：275W
结温范围TJ：-55℃至+150℃
封装形式：TO-247
FN15N680J500PNG具备优异的电气特性和可靠性。其关键特性包括：
1. 高耐压能力：高达680V的最大漏源电压，适用于高压环境下的电路设计。
2. 低导通电阻：在指定工作条件下，RDS(on)仅为3.4Ω，有助于降低导通损耗并提高效率。
3. 快速开关性能：由于优化的内部结构，该器件能够实现快速的开关切换，减少开关损耗。
4. 稳定性与鲁棒性：具有良好的抗浪涌能力和热稳定性，在恶劣的工作条件下也能保持正常运行。
5. 封装优势：采用TO-247封装，便于散热和安装，同时支持更高的功率密度。
FN15N680J500PNG广泛应用于需要高性能功率开关的领域，具体包括：
1. 开关电源（SMPS）：如AC-DC适配器、不间断电源（UPS）等。
2. 电机驱动：用于家用电器、工业设备中的电机控制系统。
3. 工业逆变器：太阳能逆变器和其他类型的电力转换系统。
4. 能量存储系统：锂电池保护电路及充放电管理。
5. 电磁兼容性（EMC）滤波器：用于抑制干扰信号，保证系统的正常运作。
IRFP250N, STP15NM65K5, FQA15N65C
