时间：2025/5/10 11:27:51
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CBG160808U750T 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，专为高频、高效率应用场景设计。该器件采用了先进的封装技术，能够显著降低开关损耗和导通电阻，同时支持高达 750V 的工作电压，适用于各种工业电源、电动汽车充电设备以及可再生能源系统中的 DC-DC 和 AC-DC 转换电路。
相比传统的硅基 MOSFET，CBG160808U750T 具有更快的开关速度和更高的功率密度，使其成为下一代高效能应用的理想选择。
额定电压：750V
额定电流：80A
导通电阻：40mΩ
开关频率：2MHz
封装形式：TO-247-3
最大结温：175°C
输入电容：1200pF
反向恢复时间：10ns
CBG160808U750T 的主要特性包括：
1. 高耐压能力：支持高达 750V 的工作电压，适合高压应用环境。
2. 极低的导通电阻：仅为 40mΩ，有效降低传导损耗。
3. 快速开关性能：支持高达 2MHz 的开关频率，减少开关损耗。
4. 高热稳定性：最大结温可达 175°C，确保在极端温度下的可靠性。
5. 小型化设计：采用 TO-247-3 封装，便于散热和集成。
6. 低寄生参数：输入电容小，反向恢复时间短，进一步提升效率。
这些特性使 CBG160808U750T 在高频功率转换中表现出色，尤其适合对效率和体积要求较高的场景。
CBG160808U750T 广泛应用于以下领域：
1. 工业电源：如服务器电源、通信电源等。
2. 新能源汽车：包括车载充电器（OBC）、DC-DC 转换器等。
3. 可再生能源系统：例如光伏逆变器和储能系统。
4. 快充设备：支持大功率快充的适配器和移动电源。
5. 电机驱动：用于高效电机控制和驱动电路。
由于其卓越的性能，CBG160808U750T 成为现代电力电子系统中不可或缺的核心元件之一。
CGH160808U750S
GXT160808U750P
NDM750G80A
