时间：2025/8/3 1:14:22
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TEM6650AN 是一款由东芝（Toshiba）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率控制领域。该器件设计用于高效地处理高电流和高电压，适合用于DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关以及各种电源管理应用。TEM6650AN采用先进的制造工艺，确保了低导通电阻、快速开关性能和良好的热稳定性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：120A
导通电阻（Rds(on)）：约3.2mΩ（典型值）
功耗（Pd）：150W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-252（DPak）
TEM6650AN 具备多项优良特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。该器件的最大漏源电压为30V，支持在中高功率应用中使用，如电源适配器、电池充电器和DC-DC转换器。
其次，TEM6650AN 的最大连续漏极电流为120A，能够支持大电流负载，如电机驱动和功率开关。其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高响应速度，适用于高频操作环境。
TEM6650AN 主要应用于需要高效功率管理的电子系统中。典型应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机控制器和电池管理系统。由于其高电流承载能力和低导通电阻，该器件特别适合用于电源转换效率要求较高的场合，如服务器电源、电信设备、工业自动化系统和电动汽车充电模块。
Si7490DP, IRF1404, IPW90R120C3, FDP6670, NVTFS5C471NL
