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IRF830ASTRL 发布时间 时间:2023/3/9 15:50:59 查看 阅读:267

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:-



目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:-

    FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 特点:标准型

    开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:1.4 欧姆 @ 3A, 10V

    漏极至源极电压(Vdss):500V

    电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:5A

    Id 时的 Vgs(th)(最大):4.5V @ 250μA

    闸电荷(Qg) @ Vgs:24nC @ 10V

    在 Vds 时的输入电容(Ciss) :620pF @ 25V

    功率 - 最大:3.1W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:D2Pak,TO-263(2 引线 + 接片)

    包装:带卷 (TR)

    供应商设备封装:*


资料

厂商
VISHAY

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IRF830ASTRL参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压500 V
  • 闸/源击穿电压+/- 30 V
  • 漏极连续电流5 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)1.4 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体D2PAK
  • 封装Reel
  • 下降时间15 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散3.1 W
  • 上升时间21 ns
  • 工厂包装数量800
  • 典型关闭延迟时间21 ns