时间：2025/5/8 9:00:48
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CBG160808U181T 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率开关芯片，专为高频和高功率密度应用设计。它采用增强型 GaN FET 技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于 DC-DC 转换器、AC-DC 电源、充电器以及通信电源等场景。该器件封装小巧，能够显著提升系统的功率转换效率并减少热损耗。
型号：CBG160808U181T
类型：GaN 功率开关
工作电压范围：10V 至 200V
导通电阻：18mΩ
最大电流：30A
封装形式：DFN-8
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
栅极电荷：10nC
开关频率：高达 5MHz
漏源击穿电压：200V
CBG160808U181T 具有以下显著特性：
1. 采用先进的氮化镓（GaN）材料，具备出色的高频性能和低开关损耗。
2. 内置驱动优化电路，简化了外部驱动设计，提升了整体系统稳定性。
3. 封装尺寸小且散热性能优异，适合对空间敏感的应用场合。
4. 高效的功率密度支持更小型化的电源解决方案。
5. 支持零电压开关（ZVS）拓扑结构，进一步降低开关噪声和能耗。
6. 具备短路保护和过温保护功能，确保在异常条件下的安全运行。
CBG160808U181T 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）及 AC-DC 适配器。
2. USB-PD 快速充电器。
3. 数据中心及通信设备中的高效电源模块。
4. 无线充电发射端与接收端电路。
5. 汽车电子中的 DC-DC 转换器。
6. 工业自动化控制中的高频逆变器。
CBG160808U151T, CBG160808U201T
