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SMV1204-165 发布时间 时间:2025/8/21 23:05:41 查看 阅读:8

SMV1204-165是一款由美国Microsemi公司(现为Microchip Technology)生产的高性能射频(RF)电压可变衰减器(Voltage Variable Attenuator,VVA)。该器件采用GaAs(砷化镓)工艺制造,适用于需要精确衰减控制的高频应用。SMV1204-165是一种反射式VVA,其衰减范围可通过外部控制电压进行调节,通常用于通信系统、测试设备和射频前端模块。

参数

类型:电压可变衰减器(VVA)
  频率范围:DC至18 GHz
  工作电压:0 V至15 V(典型控制电压)
  插入损耗(最小衰减):约2.5 dB @ 6 GHz
  衰减范围:约20 dB @ 6 GHz
  功率处理能力:30 dBm(典型值)
  封装类型:6引脚SOT-26
  工作温度范围:-55°C至+125°C

特性

SMV1204-165具备宽频率覆盖范围,适用于从直流到18 GHz的射频信号衰减控制应用。该器件采用反射式结构设计,通过改变控制电压来调节衰减水平,具有良好的线性度和稳定性。其GaAs工艺确保了高频性能和低插入损耗,在最小衰减状态下表现出色。此外,SMV1204-165支持高输入功率处理能力,适合用于高可靠性通信系统和工业设备。该VVA的封装形式为小型6引脚SOT-26,便于在高密度PCB布局中使用,且具备宽温度范围适应性,可在极端环境下稳定运行。
  SMV1204-165的衰减特性曲线平滑,具有良好的电压-衰减线性关系,便于系统设计者进行精确的功率控制。其控制电压范围为0 V至15 V,能够提供连续可调的衰减水平,适用于自动增益控制(AGC)、射频信号调节和测试仪器中的衰减模块。此外,该器件的低功耗特性和高可靠性使其成为无线基础设施、微波通信和航空航天电子系统中的理想选择。

应用

SMV1204-165广泛应用于需要精确射频信号控制的系统,如蜂窝基站、点对点微波通信设备、测试与测量仪器、射频放大器模块、卫星通信系统以及工业控制设备。由于其宽频率响应和高稳定性,它也可用于雷达系统、无线局域网(WLAN)和射频前端电路中的信号衰减调节。

替代型号

HMC625LP3E, PE4312, AD8321

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