型号：CBC3225T102MR
　　制造商：Walsin（华新科）
　　封装尺寸：3225（3.2 x 2.5mm）
　　电容值：1000pF (1nF)
　　容差：±20%
　　额定电压：50V DC
　　介电材质：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：ΔC/C ≤ ±15%
　　产品类别：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　端接类型：镍阻挡层/锡外涂层（Ni-Sn）
　　应用等级：工业级
　　符合标准：RoHS compliant, AEC-Q200（部分系列）

CBC3225T102MR所采用的X7R介电材料是一种稳定的铁电陶瓷配方，具有优异的温度补偿能力，能够在极端温度条件下维持电容性能的稳定性。这种材料的晶体结构在宽温范围内不易发生相变，从而确保了电容值的变化控制在±15%以内，远优于Z5U或Y5V等普通介质材料。这使得该电容器特别适用于对温度敏感的应用场景，如精密电源滤波、参考电压旁路以及高频信号路径中的耦合电容。此外，X7R材质还表现出较低的老化率，通常每年电容衰减不超过2.5%，保证了长期使用的可靠性。
　　该器件的3225封装尺寸在空间受限的设计中提供了良好的平衡：既具备足够的机械强度以避免贴片过程中的破裂风险，又不会占用过多PCB面积。其内部结构由多个交错叠层的金属电极与陶瓷介质构成，形成高效的储能单元，同时降低等效串联电感（ESL），提升高频响应能力。这对于高速数字电路中的去耦应用至关重要，能够有效抑制电源噪声和电压波动。
　　从制造工艺来看，CBC3225T102MR采用先进的薄层共烧技术，确保每层介质厚度均匀，电极对位精准，从而提高整体一致性和良品率。其外部电极采用镍阻挡层加锡覆盖的结构（Ni-Sn），不仅增强了抗迁移能力，还能兼容回流焊和波峰焊等多种焊接方式。这种端子设计也提升了潮湿环境下的耐腐蚀性，延长了器件在恶劣工况下的使用寿命。此外，产品经过严格的老化测试和高温负载试验，确保在实际应用中具备出色的长期稳定性与耐久性。

CBC3225T102MR因其稳定的电气性能和可靠的物理特性，被广泛应用于多种电子系统中。在电源管理领域，常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和LDO稳压器的输入输出滤波电路中，起到平滑电压纹波、抑制高频噪声的作用。其50V额定电压使其适用于中压电源轨的去耦需求，例如12V或24V系统中的局部退耦。
　　在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、智能电视和可穿戴设备，该电容器用于处理器供电引脚的旁路，保障芯片在动态负载切换时的电源完整性。由于现代SoC运行频率越来越高，对电源响应速度要求极高，因此需要低ESL、快速响应的MLCC进行高频去耦，而CBC3225T102MR正好满足这一需求。
　　在通信设备方面，该器件可用于射频模块、基站前端电路和数据接口保护电路中，作为信号耦合电容或EMI滤波元件。其稳定的X7R特性确保在不同环境温度下信号通路的一致性，减少失真和误码率。
　　此外，在工业控制、汽车电子（非引擎舱区域）和医疗仪器等领域，该电容也被用于传感器信号调理电路、ADC参考电压滤波、时钟线路匹配等关键位置。其宽工作温度范围和高可靠性使其能在复杂电磁环境和温度波动较大的现场环境中稳定运行。同时，符合RoHS标准的设计也使其适用于出口型产品和环保认证项目。

CL31A106KBHNNNE
　　GRM188R71H103KA01D
　　C2012X7R1H102K