2SK771-4-TB 时间：2025/9/20 4:58:25 阅读：6

2SK771-4-TB是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET晶体管，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器以及开关电源等高效率电子电路中。该器件采用先进的平面硅栅极工艺技术制造，确保了低导通电阻和高开关速度的优良特性，从而有效降低功率损耗并提高系统整体效率。2SK771-4-TB特别适用于需要紧凑设计和高效能表现的应用场景，例如笔记本电脑电源适配器、便携式电子设备和电池供电系统。其封装形式为小型表面贴装型（S-Mini），有助于节省PCB空间，并支持自动化高速贴片生产流程。这款MOSFET在设计上注重热稳定性和电气可靠性，在高温环境下仍能保持良好的性能表现。此外，它具备良好的抗雪崩能力和坚固的栅极结构，提升了在恶劣工作条件下的耐用性。由于其优异的电气参数和紧凑的封装尺寸，2SK771-4-TB成为许多现代低电压、大电流开关应用中的理想选择之一。

参数

型号：2SK771-4-TB
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：S-Mini
　　极性：N-Channel
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：5A
　　脉冲漏极电流（Id_pulse）：20A
　　导通电阻Rds(on)：25mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻Rds(on)：30mΩ @ Vgs=4.5V
　　阈值电压Vgs(th)：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容Ciss：800pF @ Vds=15V
　　反向恢复时间trr：25ns
　　功耗Pd：1W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C

特性

2SK771-4-TB具有出色的导通性能和快速的开关响应能力，其低导通电阻（Rds(on)）是该器件的核心优势之一。在Vgs=10V条件下，Rds(on)仅为25mΩ，而在更低的驱动电压4.5V下也能维持在30mΩ的较低水平，这使得它非常适合用于低压大电流的同步整流和负载开关应用。这种低阻特性显著减少了导通期间的能量损耗，提高了电源系统的整体效率，并降低了散热需求。
　　该器件采用了东芝专有的平面栅极工艺技术，不仅优化了载流子迁移率，还增强了器件的热稳定性与长期可靠性。其最大漏源电压为30V，连续漏极电流可达5A，脉冲电流更可高达20A，表明其具备较强的瞬态负载承受能力，适合应对突发电流冲击的应用环境。同时，输入电容Ciss仅为800pF（在Vds=15V时测得），有助于减少驱动电路的负担，实现更快的开关切换速度，从而进一步降低开关损耗。
　　2SK771-4-TB的栅源电压额定值为±20V，提供了足够的安全裕度以防止因过压导致的栅极击穿。其阈值电压范围为1.0V至2.5V，属于典型的逻辑电平兼容型MOSFET，能够直接由微控制器或逻辑IC驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。此外，该器件具备25ns的反向恢复时间（trr），表现出良好的体二极管恢复特性，有利于减少高频开关应用中的交叉导通风险。
　　热性能方面，尽管其封装小巧（S-Mini），但通过优化芯片布局和封装材料，实现了1W的最大功耗能力，并可在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作，满足工业级和消费类电子产品的严苛要求。整体而言，2SK771-4-TB在性能、尺寸和可靠性之间取得了良好平衡，是一款适用于多种高效开关应用的理想选择。

应用

2SK771-4-TB常用于各类中小型功率电源系统中，典型应用场景包括DC-DC升压/降压转换器、同步整流电路、电池管理系统（BMS）、便携式电子设备电源开关、负载开关控制以及电机驱动模块。由于其支持逻辑电平驱动且导通电阻低，特别适合用于由微处理器控制的低电压电源管理单元，如智能手机、平板电脑、无线路由器等消费类电子产品中的电源路径管理。此外，也可用于LED驱动电源、USB供电接口（如PD快充模块）以及小型逆变器等需要高效能量转换的场合。其表面贴装封装形式便于自动化生产，适用于高密度PCB布局设计，因此在追求小型化和高性能的现代电子产品中具有广泛应用前景。