时间：2025/5/8 11:49:26
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CAHCT125QPWRG4Q1 是一款高性能的碳化硅 (SiC) 功率MOSFET模块，专为高电压、大电流应用场景设计。该器件采用先进的封装技术，具有较低的导通电阻和开关损耗，适合于工业级和汽车级应用。其耐压等级高达1200V，能够承受较高的工作电压，并提供优异的热性能和可靠性。
额定电压：1200V
额定电流：25A
导通电阻：7.5mΩ
栅极电荷：130nC
开关频率：高达100kHz
结温范围：-55℃至175℃
封装形式：PWRG4Q1
CAHCT125QPWRG4Q1 具有以下主要特性：
1. 采用碳化硅材料，具备更高的效率和更低的功耗。
2. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗。
3. 快速开关速度，支持高频操作，降低开关损耗。
4. 高温适应能力，能够在极端温度范围内稳定运行。
5. 耐高温封装设计，增强了散热性能。
6. 符合严格的工业和汽车标准，确保高可靠性。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 新能源汽车中的逆变器和DC-DC转换器。
2. 工业电机驱动和变频器。
3. 太阳能逆变器及储能系统。
4. 不间断电源 (UPS) 和服务器电源。
5. 高功率密度的充电设备及电力电子装置。
CAHCT150QPWRG4Q1, CAHCT100QPWRG4Q1
