类型：NPN晶体管阵列
　　封装形式：TO-99
　　晶体管数量：5个（其中4个为匹配对，1个为独立）
　　集电极-发射极击穿电压（VCEO）：60V
　　集电极电流（IC）：20mA
　　直流电流增益（hFE）：典型值100～300
　　增益带宽积（fT）：典型值300MHz
　　最大功耗：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　输入阻抗：高输入阻抗设计，典型值大于1MΩ

CA3040T的核心优势在于其内部晶体管的高度匹配性和热稳定性。这四个主要的NPN晶体管被集成在同一硅片上，并且在制造过程中进行了参数配对，确保它们的电流增益（hFE）、基极-发射极电压（VBE）以及温度系数等关键参数非常接近。这种匹配特性对于构建高性能差分放大器至关重要，因为它可以显著降低共模误差并提高共模抑制比（CMRR），从而提升整个系统的精度和稳定性。此外，由于所有晶体管共享相同的热环境，温度变化对各个晶体管的影响趋于一致，进一步增强了电路的温漂性能。
　　另一个重要特性是其高输入阻抗。尽管CA3040T基于双极型晶体管技术，通常Bipolar Junction Transistors（BJTs）的输入阻抗相对较低，但通过特定的结构优化和偏置设计，CA3040T能够在实际应用中表现出较高的有效输入阻抗，尤其在作为共射或共基配置使用时，能够减少对前级信号源的负载效应，适用于微弱信号的放大与处理。
　　该器件还具备良好的高频响应能力，其增益带宽积（fT）可达300MHz，使其不仅适用于低频精密放大，也能胜任一定频率范围内的高速信号处理任务。同时，TO-99金属封装提供了优异的散热性能和电磁屏蔽能力，有助于减少外部噪声干扰，提升信噪比。该封装也增强了器件在恶劣环境下的可靠性，适用于军工、航空航天及工业控制等对稳定性要求极高的领域。
　　值得注意的是，CA3040T虽然功能强大，但由于其属于较早期的模拟IC设计，目前在市场上已逐渐被更先进的单片集成运算放大器所取代。然而，在某些需要分立晶体管级灵活性的设计中，它仍然具有不可替代的价值。

CA3040T广泛应用于需要高精度、高稳定性的模拟电路设计中。最常见的用途之一是作为运算放大器的输入级，特别是在分立元件构成的高性能运放设计中，利用其匹配的差分对实现低失调、低温漂的输入级结构。此外，该芯片也常用于构建精密差分放大器，用于放大来自应变片、热电偶或其他传感器输出的微弱差分信号，此时其良好的匹配性和共模抑制能力尤为重要。
　　在测试与测量仪器中，如示波器、信号发生器和数字万用表的前端模拟电路中，CA3040T可用于缓冲和预放大阶段，以保证信号完整性。由于其高输入阻抗特性，它也适合用于电压跟随器或场效应管（FET）输入级的替代方案，尤其是在无法获得FET器件或需更高驱动能力的场合。
　　音频设备中的前置放大电路也是其典型应用场景之一，特别是在高端音响系统或专业录音设备中，设计师倾向于使用分立元件来追求音质的“透明度”和“自然感”，而CA3040T提供的良好线性度和低噪声表现正好满足这一需求。
　　此外，该芯片还可用于有源滤波器、对数放大器、模拟乘法器等非线性电路中，作为核心的晶体管对进行精确的跨导控制。在科研实验和教学实践中，CA3040T也被广泛用于演示晶体管匹配、差分放大原理和反馈电路设计的教学平台。

LM3040T
　　MPQ3040T