时间：2025/9/2 5:14:38
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HY57V281620HCLT-7是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的16位、256兆位（Mbit）的同步动态随机存取存储器（SDRAM）芯片。该芯片广泛应用于嵌入式系统、工业控制、通信设备及消费类电子产品中，用于提供高速数据存储与访问能力。其主要特点包括低功耗设计、高性能的同步操作、以及支持自动刷新和自刷新功能，适用于需要较高内存带宽和较低延迟的系统。
容量：256 Mbit
组织结构：4M x 16
电压：3.3V
封装：TSOP
引脚数：54-pin
工作温度：工业级（-40°C 至 +85°C）
速度等级：-7（对应时钟频率为143MHz，访问时间为7ns）
数据宽度：16位
存储架构：同步DRAM
刷新方式：自动刷新/自刷新
HY57V281620HCLT-7是一款高性能的同步动态随机存储器（SDRAM），其设计基于标准的SDRAM架构，并优化了访问速度和功耗。该芯片采用同步接口，所有操作都与系统时钟同步，从而提高了数据传输的稳定性和效率。其容量为256 Mbit，组织结构为4M x 16，意味着它具有4百万个存储单元，每个单元存储16位数据，适合需要高带宽数据传输的应用场景。
该芯片的工作电压为3.3V，具备低功耗特性，适用于电池供电或对功耗敏感的设备。封装形式为54引脚TSOP（薄型小外形封装），这种封装方式有助于节省PCB空间，并提供良好的散热性能。此外，其支持-40°C至+85°C的工业级工作温度范围，适用于工业控制、自动化设备等较为恶劣的工作环境。
HY57V281620HCLT-7的速度等级为-7，对应的时钟频率为143MHz，访问时间为7ns，能够满足高速数据处理的需求。其支持自动刷新和自刷新功能，可以有效保持数据完整性，减少外部控制器的负担，同时在低功耗模式下仍能维持数据存储。
该芯片还支持突发模式（Burst Mode），可以按预定义的顺序连续访问多个存储单元，提高数据读写效率。通过模式寄存器编程，用户可以根据实际需求配置突发长度、CAS延迟、写入模式等参数，实现更灵活的控制。
HY57V281620HCLT-7主要应用于需要高性能、低功耗和大容量存储的场景。常见的应用包括工业控制系统、自动化设备、通信模块、网络设备、视频采集与处理系统、人机界面（HMI）以及嵌入式多媒体设备。由于其TSOP封装和工业级温度范围，它也适用于环境较为严苛的工业和车载系统。
IS42S16256A-7T、MT48LC16M2A2B4-7A、K4S641632K-TC75
