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C88848F01R 发布时间 时间:2025/12/25 14:38:01 查看 阅读:15

C88848F01R是一款由Vishay Siliconix生产的表面贴装瞬态电压抑制二极管(TVS),专门设计用于保护敏感电子设备免受瞬态电压事件的影响,例如静电放电(ESD)、电感负载切换和雷击感应等。该器件属于Uni-directional TVS二极管系列,采用高效的SMC(DO-214AB)封装,具备良好的热稳定性和机械强度,适合在严苛的工业、汽车及消费类电子环境中使用。C88848F01R具有快速响应时间(通常在皮秒级别),能够在瞬态过压事件发生时迅速钳位电压,将浪涌电流安全地引导至地,从而防止下游电路受损。其主要优势在于高功率脉冲承受能力、低动态电阻以及稳定的击穿电压特性。该TVS二极管广泛应用于电源线、数据线路和I/O端口的过压保护中,是提高系统可靠性和符合IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4等电磁兼容性标准的重要元件之一。

参数

类型:单向TVS二极管
  封装/包装:SMC(DO-214AB)
  反向关态电压(VRWM):88V
  击穿电压(VBR):97.8V @ 1mA
  最大钳位电压(VC):133V @ 3.3A
  峰值脉冲功率(PPPM):1500W(10/1000μs波形)
  最大反向漏电流(IR):5μA @ 88V
  响应时间:≈1ps
  工作结温范围:-55°C 至 +150°C
  引脚数:2

特性

C88848F01R的核心特性之一是其高瞬态功率处理能力,额定为1500W的峰值脉冲功率,能够有效吸收来自外部环境或内部电路操作所产生的大能量瞬变。这种能力使其非常适合用于工业控制系统、电机驱动器、电源模块以及其他可能遭遇高压瞬态冲击的应用场景。该TVS二极管采用单向结构设计,适用于直流电源线路的保护,在正常工作状态下呈现极低的漏电流(典型值仅为5μA),不会对系统功耗造成显著影响。一旦线路电压超过其击穿阈值(约97.8V),器件会立即进入雪崩导通状态,将电压限制在安全的钳位水平(最大133V),同时将瞬态电流分流到地。
  另一个关键特性是其出色的响应速度。由于TVS二极管基于PN结雪崩机制工作,响应时间可达到皮秒级,远快于传统的过压保护器件如压敏电阻(MOV)或气体放电管(GDT)。这使得C88848F01R能在静电放电(ESD)事件发生的最初几纳秒内就启动保护作用,避免敏感半导体器件(如MCU、ADC、通信接口芯片)因短暂但高幅值的电压尖峰而损坏。此外,该器件具有较低的动态阻抗,确保在大电流通过时电压上升幅度小,提供更稳定的钳位性能。
  C88848F01R还具备优良的热稳定性与长期可靠性。SMC封装不仅提供了良好的散热路径,还能承受较高的焊接温度,适用于自动化回流焊工艺。器件通过AEC-Q101认证,表明其满足汽车电子应用中的严格质量与可靠性要求。同时,其宽泛的工作温度范围(-55°C 至 +150°C)使其可在极端环境条件下稳定运行。所有材料均符合RoHS指令,支持无铅焊接,符合现代绿色电子制造的趋势。

应用

C88848F01R被广泛应用于多种需要高能瞬态保护的场合。在工业领域,它常用于PLC输入输出模块、继电器控制电路、传感器信号线和工业通信总线(如RS-485、CAN)的过压防护。在汽车电子中,该TVS可用于车载电源系统、车身控制模块、LED照明驱动器以及电池管理系统(BMS)中,以抵御负载突降(Load Dump)和反向电池连接等故障情况带来的高压冲击。在消费类电子产品中,虽然更多使用低功率TVS,但在高端电源适配器、充电控制器或户外使用的智能设备中,C88848F01R也能发挥重要作用。
  此外,该器件适用于开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器和UPS系统中的直流母线保护。当功率MOSFET或IGBT突然关断时,电感负载会产生反电动势,形成电压尖峰,C88848F01R可以有效抑制此类电压波动,提升系统的整体稳定性与寿命。在太阳能光伏系统中,也可用于汇流箱或逆变器前端,防止雷击感应引起的瞬态过压损坏后级电子元件。得益于其紧凑的SMC封装,该TVS易于集成在PCB板上,节省空间的同时提供高效保护,是现代电子设计中不可或缺的被动保护元件之一。

替代型号

P6KE85CA

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