类型：双肖特基势垒二极管
　　封装：SOD-323
　　通道数：2
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　最大正向平均电流（IF(AV)）：200mA
　　峰值脉冲电流（IFSM）：1A
　　最大正向电压（VF）：@ IF=10mA时典型值0.34V；@ IF=100mA时最大值0.52V
　　最大反向漏电流（IR）：@ VR=30V, TA=25°C时最大值1μA
　　反向恢复时间（trr）：≤4ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　热阻（Rth(j-a)）：约450°C/W

RB520S-30的最显著特性之一是其低正向导通电压，这得益于其肖特基势垒结构的设计。与传统的PN结二极管相比，肖特基二极管通过金属-半导体接触形成势垒，从而显著降低了正向压降。这一特性使得RB520S-30在低电压、低功耗系统中表现尤为出色，例如电池供电设备或能量采集系统。在IF=10mA条件下，VF的典型值仅为0.34V，这意味着功率损耗极小，有助于提升整体能效。同时，在较高电流下（如100mA），其最大VF也不超过0.52V，确保了在瞬态负载下的稳定性。
　　另一个关键特性是其超快的反向恢复时间（trr ≤ 4ns）。由于肖特基二极管属于多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此其开关速度远高于普通整流二极管。这种高速响应能力使其非常适合用于高频开关电路、射频信号检测以及高速数据线路中的瞬态抑制。即使在高频工作状态下，也能有效减少开关损耗并避免因延迟导致的信号失真。
　　RB520S-30还具备出色的反向漏电流控制能力。在室温下施加30V反向电压时，最大漏电流仅为1μA，表明其具有良好的阻断性能和较高的信噪比潜力。尽管随着温度升高漏电流会有所增加，但其温度系数经过优化设计，仍能在高温环境中维持可接受的水平。此外，该器件具有较高的热稳定性，结温可达+150°C，适用于工业级和汽车级应用场景。
　　SOD-323封装不仅节省空间，而且具备良好的散热性能和机械强度，适合自动化贴片生产。双二极管结构允许用户实现多种功能集成，例如双向限幅、电平移位或互补整流，进一步提高了设计灵活性。整体而言，RB520S-30结合了高性能、小型化和高可靠性的优点，是现代电子系统中理想的高频开关二极管选择。

RB520S-30广泛应用于各类高频、低电压电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源管理电路，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，用于电池充放电路径的隔离和防止反向电流流动。在这些应用中，低VF特性能够最大限度地减少能量损失，延长电池续航时间。
　　该器件也常用于通信接口电路中，如USB、I2C、SPI等数字信号线的静电放电（ESD）保护和电压钳位。由于其快速响应能力和低电容特性，RB520S-30可以有效地吸收瞬态过电压，防止敏感IC受损。在高频信号处理电路中，它可用于检波、解调和整流操作，特别是在无线传感器网络和RFID系统中发挥重要作用。
　　此外，RB520S-30适用于各种DC-DC转换器拓扑结构中的同步整流辅助电路，协助主开关管完成能量回馈路径的导通与关断。在汽车电子领域，该器件可用于车载信息娱乐系统、LED驱动模块和传感器信号调理电路，满足AEC-Q101可靠性要求的部分版本也可供货。
　　由于其双二极管结构，RB520S-30还可被配置为双阳极或双阴极连接方式，实现电压倍增、逻辑门电路或电平转换功能。例如，在微控制器与不同电压域外设之间进行信号电平匹配时，它可以作为简单的电平移位元件使用。总体来看，RB520S-30凭借其高频响应、低功耗和紧凑封装，已成为现代电子设计中不可或缺的基础元器件之一。

RB520S-40
　　RB751S-30
　　BAT54S
　　SMS7621
　　HSMS-2850