C82M-004 时间：2025/8/9 15:03:12 阅读：12

C82M-004 是一款广泛应用于电源管理和电机控制领域的电子元器件，属于功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的一种。该器件以其高效率、低导通电阻和优异的热稳定性著称，适用于多种电力电子系统中。C82M-004 是由 Vishay Semiconductors 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：120A
　　最大漏源电压（VDS）：40V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：4.75mΩ（典型值）
　　封装类型：TO-263（D2PAK）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

C82M-004 的核心特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这使得在大电流条件下功耗显著降低，提高了整体系统的能效。此外，该器件的高电流承受能力（最大漏极电流为 120A）使其非常适合用于高功率应用。
　　另一个显著特性是其热稳定性优越。采用 TO-263（D2PAK）封装，能够有效散热并保持较低的工作温度，从而延长器件的使用寿命。封装设计也使得该器件易于安装和焊接，适用于表面贴装工艺。
　　此外，C82M-004 具有较高的栅源电压耐受能力（±20V），这为设计人员提供了更大的设计灵活性，同时增强了器件在高电压环境下的稳定性与可靠性。在电机控制和电源转换系统中，这种特性可以有效减少意外电压波动对器件的影响。
　　最后，C82M-004 的宽工作温度范围（-55°C 至 +175°C）使其能够在极端环境下稳定工作，适应工业、汽车等多种应用需求。

应用

C82M-004 主要应用于高功率电源管理系统，如 DC-DC 转换器、同步整流器以及负载开关等。由于其高效率和低导通电阻的特性，它非常适合用于需要高效能和低功耗的场合。
　　在电机控制领域，C82M-004 被广泛应用于电动工具、电动车辆的驱动系统、以及工业自动化设备中的电机驱动模块。其高电流承受能力和良好的热管理性能确保了电机在高负载条件下的稳定运行。
　　此外，该器件也常用于电池管理系统（BMS），尤其是在电动汽车和储能系统中。其低导通电阻特性有助于减少电池能量损耗，提高整体系统的能效。
　　在汽车电子领域，C82M-004 被用于汽车的电子控制单元（ECU）、车载充电系统以及电动助力转向系统等。其高可靠性和宽工作温度范围使其能够适应汽车复杂的工作环境。