时间：2025/8/24 17:35:48
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HGT1S7N60A4D（也标记为 G7N60A4D）是一款由东芝（Toshiba）生产的高功率N沟道MOSFET，广泛用于需要高电压和高电流性能的开关应用。这款MOSFET具有600V的漏源电压（Vds）和7A的连续漏极电流（Id）能力，适用于电源管理、电机控制和照明系统等高功率应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
栅源电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）@25°C：7A
功率耗散（Pd）：50W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-220
HGT1S7N60A4D MOSFET采用了东芝先进的U-MOS技术，具有低导通电阻（Rds(on)）的特点，典型值约为1.5Ω。这种低电阻特性有助于减少导通损耗，提高系统效率。
此外，该器件具有高雪崩能量耐受能力，使其在高压开关应用中表现出良好的可靠性和稳定性。该MOSFET的封装设计（TO-220）提供了良好的散热性能，适用于各种工业和消费类电子产品。
该MOSFET还具备快速开关能力，适合用于高频开关电路，如DC-DC转换器和电源管理系统。其栅极驱动特性相对简单，适用于标准MOSFET驱动电路。
HGT1S7N60A4D MOSFET常用于各种高功率电子设备中，包括电源供应器、交流适配器、LED照明系统、电机驱动器和工业自动化控制系统。由于其高耐压和较高的电流能力，这款MOSFET也适用于家电中的功率控制电路，如微波炉、电饭煲和洗衣机的电源管理模块。
STP7NK60Z, FQP7N60, IRF7N60, 2SK2142
