容量：256Mb
　　组织结构：16M x 16位
　　电压：3.3V
　　封装类型：TSOP
　　温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　数据速率：166MHz（-H后缀）
　　访问时间：5.4ns
　　引脚数：54-pin
　　接口类型：LVTTL
　　刷新方式：自动刷新/自刷新
　　时钟频率：166MHz

HY57V281620ELTP-H-C SDRAM芯片具备多项优异特性，适用于高性能数据存储和处理应用。其核心特性包括高密度存储、低功耗设计以及支持高速时钟频率。该芯片采用16M x 16位的组织结构，提供256Mb的总存储容量，能够满足复杂系统对内存容量的需求。工作电压为3.3V，降低了整体功耗，适用于对能效有要求的设备。该芯片支持自动刷新和自刷新功能，在保持数据完整性的同时进一步降低功耗，适用于需要长时间运行的嵌入式系统。
　　在性能方面，HY57V281620ELTP-H-C支持高达166MHz的时钟频率，确保快速的数据读写能力，适合用于需要高吞吐量的场合。其访问时间为5.4ns，能够在高速数据传输中保持稳定性能。接口为LVTTL电平兼容，使其可以与多种控制器和主控芯片配合使用。此外，该芯片采用54-pin TSOP封装形式，具备良好的散热性能和空间利用率，适用于紧凑型电子设备的设计。
　　该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级标准，确保在各种恶劣环境下的稳定运行。适用于工业自动化、网络设备、消费电子以及通信系统等多类应用场景。

HY57V281620ELTP-H-C主要应用于需要大容量高速存储的电子设备中。典型的应用包括工业控制设备、嵌入式系统、网络路由器与交换机、数字视频设备、测试测量仪器以及PC主板上的缓存存储器。该芯片也常用于图像处理设备、数据采集系统以及高性能计算模块。

HY57V281620FTP-H-C, HY57V281620ETP-H-C