C7885-20是一种场效应晶体管(MOSFET),常用于高功率和高频应用。它属于N沟道增强型MOSFET,适用于开关电源、电机控制和DC-DC转换器等场合。该器件由东芝(Toshiba)公司生产,具有低导通电阻和高耐压的特点,能够提供高效的电力传输。
类型:N沟道
最大漏极电流(ID):20A
最大漏-源电压(VDS):60V
最大栅-源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):50mΩ(最大值)
封装类型:TO-220
C7885-20 MOSFET具备出色的导通性能和快速开关特性,适合高效率电源应用。其低导通电阻减少了导通损耗,提高了整体系统效率。此外,该器件的热阻较低,能够在高电流下保持稳定的工作温度。C7885-20还具有较高的短路耐受能力,使其在电机控制和负载切换应用中表现出色。其封装形式(TO-220)提供了良好的散热性能,适用于各种高功率应用场景。
C7885-20广泛用于各种高功率电子设备中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器和负载开关。它在汽车电子、工业自动化和消费电子产品中都有广泛应用。由于其高可靠性和优异的热性能,C7885-20也常用于需要长时间高负载工作的系统中。
SiHF60N06EY-T2-GE、IRFZ44N、FDP6030L、FDV303N