类型：NPN
　　集电极-发射极击穿电压（VCEO）：50V
　　集电极电流（IC）：150mA
　　直流增益（hFE）：70 - 700
　　增益带宽积（fT）：8GHz
　　噪声系数（NF）：1.0dB @ 1GHz
　　最大功耗（Pd）：200mW
　　封装形式：SOT-23
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃

C5299晶体管具备出色的高频放大能力，其增益带宽积高达8GHz，意味着该器件能够在GHz级别的频率下仍保持有效的电流增益，适用于高频小信号放大电路的设计。这一特性使其在射频前端模块中发挥重要作用，尤其是在UHF和L-band频段的应用中表现优异。
　　该晶体管的噪声系数仅为1.0dB（在1GHz条件下测试），表明其在高频工作时引入的额外噪声非常低，这对于接收机前端的低噪声放大器（LNA）至关重要，有助于提升整个系统的信噪比和接收灵敏度。低噪声特性结合高增益，使得C5299在微弱信号放大场合具有明显优势。
　　C5299的直流电流增益（hFE）范围宽广，从70到700不等，说明其在不同偏置条件下均能提供良好的放大性能，设计灵活性高。同时，其最大集电极电流为150mA，适合驱动轻负载或作为多级放大器的中间级使用。
　　该器件采用SOT-23小型表面贴装封装，体积小巧，便于自动化贴片生产，适用于高密度PCB布局。热稳定性方面，C5299可在-55℃至+150℃的结温范围内可靠工作，满足工业级和部分军用级应用需求。
　　此外，C5299的寄生电容较小，输入输出电容典型值分别为4pF和1pF左右，这进一步增强了其在高频下的阻抗匹配能力和稳定性，减少了高频自激的可能性。综合来看，C5299是一款专为高性能高频模拟电路优化的通用NPN晶体管。

C5299晶体管主要应用于高频电子系统中，特别是在需要低噪声和高增益放大的场合。其典型应用之一是作为无线通信设备中的射频低噪声放大器（LNA），用于增强接收到的微弱射频信号，如在FM收音机、对讲机、无线麦克风和GPS接收模块中。在这些应用中，C5299能够有效提升信号质量而不引入过多噪声，从而改善整体接收性能。
　　该器件也常用于电视调谐器和有线/卫星接收器的前端电路中，负责将接收到的高频电视信号进行初步放大和处理。由于其在VHF和UHF频段的良好表现，C5299能够支持多频道信号的稳定放大，确保图像和声音的清晰传输。
　　在测试测量仪器领域，C5299可用于构建高频信号发生器或宽带放大器模块，为实验室设备提供稳定的高频信号路径。此外，在雷达系统、遥测设备和无线传感器网络中，该晶体管也被用于构建高频振荡器或缓冲放大器，实现信号的有效调理与传输。
　　由于其小型封装和表面贴装特性，C5299非常适合用于便携式消费类电子产品，如智能手机、平板电脑和无线耳机中的射频模块。这些设备对空间和功耗要求严格，而C5299的低功耗特性和高集成度正好满足此类需求。
　　在工业控制和汽车电子中，C5299可用于车载通信系统或远程监控模块中的信号放大单元。虽然它不适合高功率输出，但在信号链的前级放大环节中仍具有不可替代的作用。总之，C5299凭借其高频、低噪、小尺寸的优势，在现代电子系统中扮演着关键角色。

MMBT3904、2SC3356、BFQ67、BFR92A