时间：2025/8/5 12:49:20
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IXGM40N50A是一款由IXYS公司设计的N沟道MOSFET功率晶体管，广泛用于需要高效能和高可靠性的功率电子应用中。该器件的额定电压为500V，最大电流为40A，适合高功率密度设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：40A
最大漏极电压：500V
导通电阻：0.27Ω（典型值）
栅极电荷：130nC（典型值）
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55°C 至 150°C
IXGM40N50A具备低导通电阻，从而减少导通损耗并提高效率。
该器件的高耐压特性使其适用于高电压工作环境。
其封装形式（TO-247）提供了良好的散热性能，适用于高功率应用。
此外，IXGM40N50A具有快速开关能力，能够满足高频开关电源的设计需求。
该MOSFET的高可靠性和稳定性使其在工业和电力电子领域中广泛使用。
IXGM40N50A常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器以及各种高功率电子设备中。
其高电压和高电流能力使其适合于太阳能逆变器、电池充电系统以及工业自动化设备。
由于其快速开关特性，它也被广泛应用于高频电源转换系统中。
此外，该器件适用于需要高效能和高稳定性的电力电子设计，例如UPS（不间断电源）系统和功率因数校正（PFC）电路。
STW40NK50Z, FCP40N50, IRFP460LC
