时间：2025/8/27 21:29:24
阅读：23
LH61664S-70是一种高速、低功耗的CMOS静态随机存取存储器（SRAM），由CMOS技术制造而成，具备高性能和稳定性。该芯片的容量为64K位（8K x 8），采用标准的异步SRAM架构，适用于需要高速数据访问和低功耗的应用场景。LH61664S-70的封装形式为28引脚SSOP，适合在紧凑的电路设计中使用。
容量：64K位（8K x 8）
电源电压：3.3V至5.5V
最大访问时间：70ns
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
封装类型：28引脚SSOP
功耗：典型值为100mA（待机模式下电流小于10μA）
输入/输出电平：TTL和CMOS兼容
时钟频率：异步操作，无需时钟
LH61664S-70具有多项优异的性能特点。首先，它的高速访问时间为70ns，确保了在高速数据处理应用中的稳定性和效率。其次，该芯片支持宽电压范围（3.3V至5.5V），使其能够适应不同的电源环境，增强了系统的兼容性。此外，LH61664S-70的低功耗设计使其在待机模式下的电流消耗极低，非常适合需要节能的应用。该芯片还具有TTL和CMOS兼容的输入/输出电平，能够与多种数字电路无缝连接。LH61664S-70采用异步SRAM架构，无需外部时钟控制，简化了系统设计并提高了可靠性。此外，其28引脚SSOP封装形式不仅节省空间，还提高了封装密度，适合在高密度PCB设计中使用。
LH61664S-70广泛应用于需要高速数据存储和低功耗的场合。常见应用包括嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、网络设备、消费电子产品以及各种需要缓存或临时存储的场景。由于其宽电压范围和工业级温度范围，LH61664S-70也适用于恶劣环境下的电子设备。
AS6C6264-70LLB3-TR, CY62167GS-70LLXI, IS62WV64168ALL-70BLI, SST39SF040-70-4I-EK
