时间：2025/7/3 16:51:38
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C4532X7R1C226MT000N 是一款由村田制作所（Murata）生产的多层陶瓷电容器（MLCC），采用 X7R 温度特性材料制成。该型号的电容器具有高可靠性和稳定性，适用于广泛的电子电路应用。其设计符合表面贴装技术（SMT）的要求，适合自动化生产和高速贴片工艺。
该电容器的主要特点是具备良好的温度稳定性和频率响应性能，在各种环境条件下能够保持稳定的电气性能。
容量：22μF
额定电压：6.3V
容差：±10%
温度特性：X7R（-55℃ to +125℃, ΔC ≤ ±15%）
封装：C（约0.4mm x 0.2mm）
工作温度范围：-55℃ to +125℃
ESR：低
直流偏压特性：适中
C4532X7R1C226MT000N 使用 X7R 材料制造，具有优秀的温度补偿能力，能够在宽温度范围内保持较小的电容变化。这种电容器还具备出色的频率响应和较低的等效串联电阻（ESR），从而在高频信号处理和电源滤波等场景中表现出色。
此外，这款电容器支持表面贴装，尺寸紧凑，非常适合用于现代小型化、高密度的电子产品。由于采用了多层陶瓷结构，它拥有较高的机械强度和可靠性，可承受多次焊接热冲击。
需要注意的是，尽管 X7R 材料提供较好的温度稳定性，但在高直流偏置电压下，电容值可能会有所降低。因此在设计时需考虑这一因素以确保实际性能满足需求。
C4532X7R1C226MT000N 广泛应用于消费类电子产品、通信设备以及工业控制领域。具体应用场景包括但不限于：
1. 电源滤波：用于平滑电源电压波动，减少噪声干扰。
2. 耦合与去耦：在模拟和数字电路中隔离直流成分或抑制高频噪声。
3. 信号调谐：在射频（RF）电路中用作匹配元件，调整阻抗。
4. 存储功能：为短时间内的能量存储提供支持，如在电池供电系统中。
5. 时间常数电路：与其他元件组合实现延时或积分功能。
C4532X7R1E226MT000N
C4532X7R1C226KT000N
