PESD4USB3R-TBRX 是一款由 Nexperia(安世半导体)推出的静电放电(ESD)保护二极管阵列,专为高速 USB 3.0/USB 3.1 接口设计。该器件能够有效保护敏感的电子元件免受静电放电和瞬态电压的损害,同时保持信号完整性,适用于高速数据传输应用。
封装类型:TQFN10
工作电压:5.5 V
最大钳位电压:9.5 V (在 Ipp = 3 A 时)
反向击穿电压:6.8 V
最大反向漏电流:0.1 μA
ESD 耐受能力:IEC 61000-4-2 Level 4(±15 kV 接触放电)
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
引脚数:10
安装类型:表面贴装(SMD)
PESD4USB3R-TBRX 采用先进的 ESD 保护技术,具有超低电容特性,典型值为 0.3 pF,确保对高速数据传输的影响最小化。其 10 引脚 TQFN 封装节省空间,适合高密度 PCB 设计。该器件的低钳位电压能够在发生 ESD 事件时有效保护后端 IC,避免损坏。同时,PESD4USB3R-TBRX 具有快速响应时间,能够在纳秒级内将瞬态电压钳制到安全水平。此外,其符合 RoHS 和 REACH 环保标准,适用于各种消费类电子和工业设备。
该 ESD 保护器件还具备低插入损耗和优异的信号完整性,适用于高达 10 Gbps 的数据速率。其多通道设计可同时保护多个信号线路,例如 USB 3.0 的 TX 和 RX 差分对。器件具有良好的热稳定性和长期可靠性,适用于在恶劣环境中运行的电子系统。
PESD4USB3R-TBRX 主要用于 USB 3.0 和 USB 3.1 接口的 ESD 保护,适用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机、扩展坞、外设设备以及工业计算机等设备。该器件也可用于其他高速差分信号接口的保护,如 HDMI、DisplayPort 和 PCIe 接口等。其紧凑的封装和高性能使其成为便携式电子产品和高密度电路板设计的理想选择。
PESD4USB3RFX, PESD4USB3UH-TB, NUP4116