时间：2025/9/2 7:04:51
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GM76C256CLLFW-55 是一款由 Gmicro（中科亿海微）生产的静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为 256Kbit，采用低功耗设计，适用于嵌入式系统和工业控制等领域。该芯片具有高速访问时间、宽温度范围和高可靠性等优点，适用于需要稳定存储性能的工业和通信应用。
容量：256Kbit
组织结构：32K x 8
电源电压：2.3V - 3.6V
访问时间：55ns
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
封装类型：TSOP
引脚数：54
封装尺寸：标准TSOP
功耗：低功耗CMOS工艺
输入/输出电平：TTL兼容
GM76C256CLLFW-55 是一款高性能的静态随机存储器（SRAM），其核心优势在于低功耗与高速度的结合。该芯片基于CMOS工艺制造，具备出色的抗干扰能力和稳定性，适合在复杂工业环境中使用。
首先，该芯片的访问时间为55纳秒，能够满足高速数据读写需求，适用于对响应时间要求较高的系统设计。其支持的电源电压范围为2.3V至3.6V，具备良好的电压适应能力，适用于不同电源管理方案的应用场景。
其次，GM76C256CLLFW-55 支持-40°C至+85°C的宽温工作范围，能够在极端温度条件下保持稳定运行，适用于工业自动化、车载电子和通信设备等对环境适应性要求较高的应用场合。
该芯片采用54引脚TSOP封装，具有较小的封装体积和良好的散热性能，便于PCB布局并提升系统整体可靠性。此外，其输入/输出接口兼容TTL电平标准，便于与多种微控制器和外围设备连接。
最后，该SRAM芯片无需刷新操作，数据在供电状态下可保持不变，适用于需要频繁访问且数据保持稳定的场景，如缓存、临时数据存储以及控制系统中的关键数据保存。
GM76C256CLLFW-55 主要应用于工业控制设备、嵌入式系统、通信模块、智能仪表、医疗设备以及车载电子系统等领域。其高速访问能力和宽温工作范围使其特别适用于需要高可靠性和稳定存储性能的工业和通信设备。此外，该芯片也可作为微控制器系统的外部存储器，用于存储临时数据、缓冲区或关键参数配置。
IS62C256ALBLL-55N、CY62148EVSLL、IDT71V433SA55B、AS6C256162BLLBLL
