类型：P沟道MOSFET
　　封装：TO-220
　　漏源电压（VDS）：-30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-5A
　　功耗（PD）：30W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.65Ω（典型值）
　　输入电容（Ciss）：约130pF
　　过渡频率（fT）：8MHz
　　漏极电流（IDSS）：≤10μA（@VDS = -30V, VGS = 0V）

2SJ574BP具有多项显著的技术特性，适用于高频功率应用。其P沟道结构设计允许在较低的栅极驱动电压下实现良好的导通性能，从而降低驱动电路的复杂性并提高能效。该MOSFET的漏源耐压为-30V，可支持中等功率的开关应用，如DC-DC转换器、电机驱动器和负载控制电路。
　　此外，2SJ574BP的导通电阻（RDS(on)）约为0.65Ω，这在同类器件中属于较低水平，有助于减少导通损耗并提高系统效率。其连续漏极电流为-5A，意味着它能够处理相对较高的电流负载，适用于多种电源管理场合。
　　该器件的过渡频率（fT）为8MHz，表明其在较高频率下的开关性能良好，适合用于需要快速切换的高频电路。同时，输入电容约为130pF，这有助于减少栅极驱动损耗，提高整体的开关速度和效率。
　　2SJ574BP的封装为TO-220，具有良好的散热性能，能够有效散发工作过程中产生的热量，从而提升器件的稳定性和使用寿命。其工作温度范围为-55°C至+150°C，表明其具有良好的环境适应性，适用于各种工业和消费类电子产品。
　　从可靠性角度看，2SJ574BP的漏极截止电流（IDSS）小于等于10μA，在VDS = -30V且VGS = 0V的条件下表现出良好的漏电流控制能力，有助于提高系统的稳定性和降低静态功耗。

2SJ574BP广泛应用于多种电子电路中，尤其适合需要中等功率控制和高频切换的场合。在电源管理领域，该器件常用于构建DC-DC转换器、负载开关和稳压电路，其低导通电阻和高耐压特性使其在高效能转换系统中表现优异。
　　在电机控制和驱动电路中，2SJ574BP可用于控制小型直流电机的启停和方向，其较高的连续漏极电流能力（-5A）使其能够驱动中等功率的电机负载，适用于家用电器和自动化设备。
　　此外，该MOSFET也常用于电池管理系统，作为充放电路径的开关元件。其低功耗特性有助于延长电池的使用寿命，同时提高系统的整体能效。
　　在音频功率放大器中，2SJ574BP可用于输出级的功率放大电路，其良好的频率响应和低失真特性有助于提升音频信号的质量，适用于小型音频设备和便携式音响系统。
　　由于其良好的高频性能，2SJ574BP也适用于高频振荡器、射频开关和脉宽调制（PWM）控制电路，广泛应用于工业控制、通信设备和消费电子产品中。

2SJ328, 2SJ158, IRF9520, FQP13P06