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C3M0065090J 发布时间 时间:2025/5/21 23:43:33 查看 阅读:4

C3M0065090J 是一款由 Wolfspeed(原 Cree)生产的碳化硅 (SiC) MOSFET。该器件具有高效率、高频开关能力以及出色的热性能,适用于各种工业和汽车应用中的功率转换系统。
  这种 SiC MOSFET 的主要特点包括低导通电阻、快速开关速度和高耐压能力,从而提高了功率密度并降低了系统的整体损耗。

参数

额定电压:900V
  额定电流:65A
  导通电阻:70mΩ
  栅极电荷:45nC
  输入电容:1280pF
  反向恢复时间:无反向恢复电荷
  最大工作结温:175°C
  封装类型:TO-247-4

特性

C3M0065090J 属于 Wolfspeed 第三代 C 系列 SiC MOSFET 产品线,其设计旨在优化高频和高效率操作。它具备以下显著特点:
  1. 高耐压能力:900V 的额定电压使其适合高压应用环境。
  2. 低导通电阻:仅 70mΩ 的导通电阻确保了较低的传导损耗。
  3. 快速开关性能:得益于其超低的栅极电荷和输出电荷,能够实现高频开关操作。
  4. 无反向恢复电荷:消除了与传统硅基 IGBT 或二极管相关的反向恢复损耗,进一步提升效率。
  5. 高工作温度:支持高达 175°C 的最大工作结温,增强了系统的可靠性和适应性。
  6. 四脚封装:TO-247-4 封装提供额外的开尔文源极连接选项,有助于减少寄生电感对高速开关的影响。

应用

C3M0065090J 广泛应用于需要高效率和高功率密度的场合,具体包括但不限于:
  1. 太阳能逆变器
  2. 电动汽车充电基础设施(如直流快充桩)
  3. 电机驱动控制
  4. 不间断电源 (UPS)
  5. 工业 DC-DC 转换器
  6. 风力发电变流器
  由于其出色的性能,这款 SiC MOSFET 成为许多高压高频应用场景的理想选择。

替代型号

C3M0065120K, C4D0120090, FGH15N90SMD

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C3M0065090J参数

  • 现有数量4,578现货
  • 价格1 : ¥129.42000管件
  • 系列C3M?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术SiCFET(碳化硅)
  • 漏源电压(Vdss)900 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)35A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)15V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)78 毫欧 @ 20A,15V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.1V @ 5mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)30 nC @ 15 V
  • Vgs(最大值)+19V,-8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)660 pF @ 600 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)113W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-263-7
  • 封装/外壳TO-263-8,D2Pak(7 引线+接片),TO-263CA