C2D10120A 时间：2025/12/28 16:20:58 阅读：12

C2D10120A 是由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的一款碳化硅（SiC）肖特基二极管。该器件采用宽禁带半导体材料碳化硅制造，具有优异的热性能、高频特性和低导通压降，适用于高效率、高功率密度的电力电子系统。C2D10120A 特别适用于需要高可靠性和高温稳定性的应用场合，如电源转换器、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电系统等。

参数

类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大反向电压：1200V
　　额定正向电流：10A
　　正向电压（@25°C）：约1.5V（@10A）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220-2
　　反向漏电流（@125°C）：最大约200μA
　　热阻（RθJC）：约2.5°C/W

特性

C2D10120A 采用碳化硅材料，具备出色的导热性和耐高温能力，能够在极端温度条件下稳定工作。与传统硅基肖特基二极管相比，该器件具有更低的开关损耗和更高的工作频率，有助于提高系统效率并减小散热器体积。此外，C2D10120A 具有零反向恢复电流，可有效减少开关过程中的能量损耗，提升电路的可靠性。
　　其封装形式为TO-220-2，便于安装和散热管理，适用于多种高功率应用场景。该器件在高温工作环境下仍能保持稳定的电气性能，减少了对复杂冷却系统的依赖，有助于简化系统设计并降低成本。此外，C2D10120A 具备出色的抗浪涌能力，能够承受一定的瞬时过载电流，增强了器件在恶劣工况下的耐用性。

应用

C2D10120A 广泛应用于各类高功率、高效率的电力电子系统中，包括DC-DC转换器、PFC（功率因数校正）电路、光伏逆变器、不间断电源（UPS）、工业电机驱动以及电动汽车充电设备等。其优异的高频特性和低开关损耗使其成为高频开关电源设计的理想选择。此外，由于其出色的耐高温性能，C2D10120A 也适用于空间受限、散热条件较差的嵌入式电源系统，以及需要高可靠性的航空航天和汽车电子领域。