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HAT1002F 发布时间 时间:2025/9/6 21:40:21 查看 阅读:5

HAT1002F是一款由ROHM Semiconductor生产的高侧负载开关IC,专为需要高效、可靠电源管理的应用而设计。该器件集成了一个N通道MOSFET,并具有多种保护功能,如过流保护、过热保护和欠压锁定保护。HAT1002F采用小型SOP8封装,适用于空间受限的便携式设备和工业控制系统。该IC通过一个逻辑输入控制开关状态,具有快速响应时间和低导通电阻,能够有效降低功耗并提高系统效率。

参数

工作电压范围:2.7V 至 5.5V
  最大负载电流:3.0A(典型值)
  导通电阻:120mΩ(典型值)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:SOP8
  保护功能:过流保护(OCP)、过热保护(OTP)、欠压锁定(UVLO)
  控制方式:高电平有效使能输入(EN)
  静态电流:典型值15μA(待机模式)
  关断电流:最大1.0μA

特性

HAT1002F具有多项先进特性,确保其在各种应用中的稳定性和可靠性。
  首先,其宽广的工作电压范围(2.7V至5.5V)使其适用于多种电源管理场景,包括由单节锂电池供电的便携设备。该器件的内置N沟道MOSFET具有低导通电阻(典型值120mΩ),可显著降低导通损耗,提高能效。
  其次,HAT1002F集成多重保护机制,包括过流保护(OCP)、过热保护(OTP)和欠压锁定(UVLO),有效防止系统在异常条件下损坏。过流保护功能可在负载电流超过设定阈值时迅速关断MOSFET,保护电源系统免受过载影响。过热保护则在芯片温度超过安全范围时自动关闭器件,防止热损坏。欠压锁定功能可确保在电源电压不足时自动关闭负载开关,避免系统在不稳定电压下运行。
  此外,HAT1002F具备低静态电流(典型值15μA)和极低的关断电流(最大1.0μA),有助于延长电池供电设备的续航时间。其控制引脚为高电平有效使能输入(EN),便于与微控制器或其他逻辑电路连接,实现灵活的电源管理。
  最后,该器件采用SOP8封装,体积小巧,适合用于空间受限的设计,同时具备良好的散热性能。

应用

HAT1002F广泛应用于需要高效、紧凑电源管理方案的电子设备中。其典型应用包括便携式电子产品(如智能手机、平板电脑和可穿戴设备)中的负载开关控制,用于管理不同功能模块的供电,以提高能效并延长电池寿命。在工业控制系统中,HAT1002F可用于隔离故障电路、保护关键组件,并实现远程电源管理功能。此外,该器件也适用于服务器和网络设备中的热插拔电源管理,防止在更换模块时对主电源系统造成干扰。HAT1002F的多功能保护机制使其适用于需要高可靠性的应用场景,如医疗设备、测试仪器和汽车电子系统。

替代型号

HAT1001F, TPS27081A, AP2401

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