尺寸代码（公制/英制）：2012 / 0805
　　电容值：2.2μF
　　容差：±10%
　　额定电压：10V DC
　　介质材料：X5R
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　温度特性：ΔC/C ≤ ±15%
　　电极结构：镍内电极（Ni）
　　端子电极：三层电极（Cu/Ni/Sn）
　　耐焊接热：符合IEC 60068-2-20标准
　　绝缘电阻：≥4000 MΩ 或 ≥100 S (取较小值)
　　时间常数：≥2000 sec
　　等效串联电阻（ESR）：典型值在几十毫欧至数百毫欧之间（频率相关）
　　自谐振频率（SRF）：约几十MHz量级（取决于具体应用条件）

C2012X5R1A225K作为一款高性能多层陶瓷电容器，其核心优势在于优异的电性能稳定性与小型化设计的结合。首先，该器件采用X5R类电介质材料，这种材料在较宽的温度范围内表现出相对稳定的电容特性，能够在-55°C到+85°C的工作环境中保持电容值变化不超过±15%，相较于Y5V等高介电常数但温度稳定性差的介质更具可靠性，因此特别适用于对电容稳定性有一定要求但又需要较高容值密度的应用场合。其次，该电容器实现了在2012小型封装内集成2.2μF的较大电容值，这得益于TDK先进的叠层制造工艺和高介电常数陶瓷材料的应用，在有限的空间内最大化了电容密度，满足现代电子设备向轻薄短小发展的趋势。
　　此外，C2012X5R1A225K具备出色的高频响应能力，由于其固有的低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），使其在电源去耦和噪声滤波方面表现优异。在数字电路中，尤其是在微处理器、FPGA或ASIC的电源引脚附近，它可以有效吸收瞬态电流波动，抑制电压尖峰，提升系统的电磁兼容性（EMC）和运行稳定性。同时，其非极性结构简化了PCB布局设计，避免了电解电容的极性安装错误风险。
　　该电容器还具备良好的机械强度和抗热冲击性能，三层端子电极（铜-镍-锡）不仅增强了与PCB焊盘之间的结合力，还能有效防止因热胀冷缩导致的裂纹扩展，提高长期使用的可靠性。此外，产品通过了严格的环境测试认证，符合AEC-Q200等车规级标准的部分要求，可在一定程度上用于汽车电子中的非关键系统。整体而言，C2012X5R1A225K以其稳定的电气性能、紧凑的体积、可靠的结构和广泛的适用性，成为众多电子设计工程师在中高压、中容量滤波去耦应用中的首选元件之一。

C2012X5R1A225K因其优良的电性能和紧凑的封装尺寸，被广泛应用于多种电子系统中。在消费类电子产品领域，它常用于智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理单元（PMU）中，作为DC-DC转换器输出端的滤波电容，用于平滑电压纹波并提供瞬态电流支持。在处理器或存储芯片的供电网络中，该电容也承担着重要的去耦功能，确保高速数字信号切换时电源电压的稳定，降低噪声干扰，提升系统整体性能与可靠性。此外，在可穿戴设备如智能手表和无线耳机中，由于空间极为受限，C2012X5R1A225K的小型化优势尤为突出，能够在有限的PCB面积内实现有效的电源滤波。
　　在工业控制与通信设备中，该电容器可用于各类嵌入式控制器、传感器模块和射频前端电路的电源旁路，帮助抑制高频噪声传播，增强信号完整性。在汽车电子系统中，尽管其额定电压较低，但仍可用于车身控制模块（BCM）、车载信息娱乐系统（IVI）或ADAS辅助系统的低压电源轨中，执行去耦和稳压任务。此外，在电源适配器、LED驱动电路和便携式医疗设备中，该器件也可作为输入或输出滤波电容使用，提升电源效率和稳定性。总之，凡是在需要中等容量、良好温度稳定性及高可靠性的表面贴装电容场景下，C2012X5R1A225K均能发挥重要作用。

GRM21BR71A225KA01L
　　CL21A225KAQNNNE
　　C2012X5R1A225M