类型：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：100 V
　　最大连续漏极电流（ID）：6.5 A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：26 A
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻（RDS(on) max）@ VGS = 10 V：0.3 Ω
　　导通电阻（RDS(on) max）@ VGS = 4.5 V：0.4 Ω
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0 V ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：400 pF @ VDS = 50 V
　　输出电容（Coss）：120 pF @ VDS = 50 V
　　反向恢复时间（trr）：28 ns
　　工作温度范围：-55 °C ~ +175 °C
　　封装形式：TO-220AB

IRFR220TF采用英飞凌先进的沟槽栅场效应晶体管技术，显著降低了导通电阻与开关损耗之间的权衡，使其在高频开关应用中表现出色。其低RDS(on)特性确保了在大电流条件下仍能保持较低的传导损耗，提高了系统的整体能效。该器件的栅极设计优化了电荷注入效率，减少了驱动所需的功率，同时也增强了对噪声干扰的抵抗能力。沟槽结构不仅提升了单位面积的载流子密度，还改善了热分布均匀性，使得器件在长时间高负载运行下仍能维持稳定性能。
　　该MOSFET具备优异的热稳定性与长期可靠性，结温可达+175°C，适用于高温环境下的应用场合，如车载电子系统或工业控制设备。其封装采用标准TO-220AB形式，便于安装于散热片上，有效提升散热效率。内部芯片与引线之间的连接经过优化，降低了寄生电感和电阻，有助于减少开关过程中的电压尖峰和振荡现象，从而增强电磁兼容性（EMC）。
　　IRFR220TF还具备较强的抗雪崩能力，能够承受一定程度的电感负载突变而不发生永久性损坏，这在电机驱动和继电器控制等存在感性负载的应用中尤为重要。其坚固的栅氧化层设计可耐受±20V的栅源电压，避免因驱动信号波动导致的栅极击穿风险。此外，该器件符合RoHS环保要求，并通过AEC-Q101车规级认证，适用于汽车电子系统中的电源管理模块。总体而言，IRFR220TF是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，广泛应用于需要高效能与紧凑设计的现代电子系统中。

IRFR220TF广泛应用于各类中等功率开关电路中，尤其适合需要高效率与小型化设计的场合。常见应用包括开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器、DC-DC降压或升压转换器，在这些系统中，其低导通电阻和快速开关特性有助于减少能量损耗并提升转换效率。在电机控制系统中，例如直流电机驱动或步进电机控制器，IRFR220TF可用于H桥或半桥拓扑结构中作为功率开关元件，实现精确的转速与方向控制。
　　该器件也适用于电池供电系统中的电源开关与保护电路，如便携式设备的负载切换、电池充放电管理单元等，凭借其低静态电流消耗和高开关速度，能够有效延长电池续航时间。在照明系统中，特别是LED驱动电源中，IRFR220TF可用于恒流调节或PWM调光控制回路，保证光源亮度稳定且响应迅速。
　　此外，由于其具备良好的热性能和可靠性，IRFR220TF也被用于工业自动化设备、家用电器（如洗衣机、空调压缩机控制）、太阳能逆变器辅助电源以及汽车电子系统（如车身控制模块、风扇驱动、灯光控制）等。在需要频繁启停或承受瞬态过载的环境下，其抗雪崩能力和坚固结构提供了额外的安全保障。总之，该器件适用于任何要求高效率、高可靠性及紧凑布局的功率开关应用场景。

IRFZ24N,IRL3803,STP6NK80ZFP,IRFB221A