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IXFN140N30P 发布时间 时间:2023/3/7 14:33:27 查看 阅读:366

    类别:半导体模块

    家庭:MOSFETs

    系列:Polar?

    

目录

概述

    类别:半导体模块

    家庭:MOSFETs

    系列:Polar?

    FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 特点:标准型

    开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:24 毫欧 @ 70A, 10V

    漏极至源极电压(Vdss):300V

    电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:110A

    Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 8mA

    闸电荷(Qg) @ Vgs:185nC @ 10V

    在 Vds 时的输入电容(Ciss) :14800pF @ 25V

    功率 - 最大:700W

    安装类型:底座安装

    封装/外壳:SOT-227, miniBLOC

    包装:管件

    供应商设备封装:*


资料

厂商
IXYS

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IXFN140N30P参数

  • 标准包装10
  • 类别半导体模块
  • 家庭FET
  • 系列Polar™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)300V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C110A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C24 毫欧 @ 70A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 8mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs185nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds14800pF @ 25V
  • 功率 - 最大700W
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳SOT-227-4,miniBLOC
  • 供应商设备封装SOT-227B
  • 包装管件