C1826 时间：2025/8/24 12:36:48 阅读：19

C1826 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率晶体管，属于 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高功率、高频应用而设计，具有较低的导通电阻和优异的开关性能，适用于电源转换、电机驱动、DC-DC 转换器等多种电力电子系统。C1826 通常采用 TO-220 或 TO-262 封装形式，具有良好的散热能力和高可靠性。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：600V
　　最大漏极电流 Id：8A
　　导通电阻 Rds(on)：典型值 0.35Ω
　　栅极电压 Vgs：±30V
　　最大功耗 Pd：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220 / TO-262

特性

C1826 MOSFET 具备一系列优异的电气特性，使其适用于多种功率应用。其最大漏源电压为 600V，能够承受较高的电压应力，适用于开关电源、逆变器等高压环境。导通电阻 Rds(on) 典型值为 0.35Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的电流承载能力，最大漏极电流可达 8A，适用于中等功率的电机控制和 DC-DC 转换器应用。
　　C1826 采用 TO-220 或 TO-262 封装，具备良好的散热能力，有助于在高功率工作条件下保持稳定的温度。其栅极电压范围为 ±30V，允许使用较高的驱动电压以实现更快的开关速度，从而减少开关损耗。同时，该器件具有较高的热稳定性和抗雪崩能力，能够在恶劣工作环境下保持可靠运行。
　　该 MOSFET 的开关特性优异，具备较快的上升和下降时间，适用于高频开关应用。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适合工业级和汽车电子应用。C1826 的设计确保了在不同负载条件下均能保持良好的性能表现，是许多中高功率电子设备的理想选择。

应用

C1826 MOSFET 主要应用于需要中高功率控制的场合。其常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动电路、逆变器、UPS（不间断电源）、照明镇流器以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，由于其具备良好的热稳定性和抗干扰能力，也适用于汽车电子系统中的功率管理模块，如车载充电器和电机控制器。
　　在电源管理领域，C1826 可用于构建高效能的功率转换系统，如 Boost 和 Buck 转换器，以实现电压的升压或降压功能。在电机控制应用中，该器件可用于构建 H 桥电路，实现对直流电机或步进电机的方向和速度控制。由于其具备较高的开关速度和较低的导通电阻，C1826 也适用于高频功率放大器和开关型音频放大器的设计。