B10NK60Z 时间：2025/7/23 8:43:20 阅读：8

B10NK60Z 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高电压和高功率的应用。这款MOSFET具有较高的耐压能力和较低的导通电阻，适用于如电源转换器、马达控制、电池充电器以及开关电源等场景。B10NK60Z采用TO-220封装形式，具备良好的散热性能，能够在较高功率环境下稳定运行。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：600V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：10A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.55Ω
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220

特性

B10NK60Z的主要特性在于其高耐压和高电流处理能力。这款MOSFET支持高达600V的漏源电压（VDS），能够适应多种高电压应用需求。其连续漏极电流（ID）为10A，足以应对中高功率电路中的电流要求。导通电阻（RDS(on)）为0.55Ω，这一较低的阻值有助于减少导通损耗，提高整体效率。此外，B10NK60Z还具备良好的热稳定性和过热保护能力，能够在高温环境下保持稳定运行。
　　B10NK60Z采用了STMicroelectronics的先进技术，使其在开关速度和动态损耗方面表现优异。这使得它在高频开关应用中表现出色，例如在DC-DC转换器和逆变器中。其栅源电压（VGS）可达±30V，提供了较高的驱动灵活性和兼容性，适用于多种驱动电路设计。
　　该器件的封装形式为TO-220，这种封装具备良好的散热能力，能够有效将热量从芯片传导至外部散热片，从而提高系统的整体可靠性。此外，TO-220封装也便于安装和散热设计，适用于多种工业和消费类电子设备。

应用

B10NK60Z广泛应用于需要高电压和高功率处理能力的电路中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、电机驱动器、电池充电器、逆变器以及功率因数校正（PFC）电路。在开关电源中，B10NK60Z可以作为主开关元件，负责高效地将输入电压转换为所需的输出电压。在电机驱动器中，该器件可以用于控制电机的速度和方向，适用于工业自动化和家电控制。
　　此外，B10NK60Z还可用于LED照明驱动电路，提供高效的电源转换和稳定的输出。在太阳能逆变器中，这款MOSFET可以用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电，供家庭或电网使用。由于其高可靠性和良好的热性能，B10NK60Z也常用于汽车电子系统，如车载充电器和电机控制模块。