C1707 时间：2025/12/28 16:59:57 阅读：19

C1707 是一款 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于功率放大器、开关电源以及各种高功率应用场景中。这款晶体管以其高耐压、高电流承载能力以及快速开关特性而受到青睐。C1707 通常采用 TO-220 或 TO-3P 封装，适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：150A
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：约 0.27Ω（典型值）
　　功率耗散（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220 或 TO-3P

特性

C1707 功率 MOSFET 的主要特性包括其高耐压能力和高电流容量，这使其非常适合用于高功率应用。该器件具有较低的导通电阻（RDS(on)），有助于减少导通状态下的功率损耗，从而提高系统效率。此外，C1707 具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，这得益于其优秀的热阻特性和高功率耗散能力。
　　C1707 的栅极驱动要求较低，可以在较低的栅源电压下实现完全导通，这使得其与常见的驱动电路兼容性良好。同时，其快速开关特性减少了开关过程中的能量损耗，提升了整体性能。
　　该 MOSFET 还具备良好的抗雪崩能力和过载保护特性，能够在异常工作条件下提供一定的保护作用，增强系统的可靠性。