时间：2025/9/22 17:45:02
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MB87J4990PMT-G-BND是一款由富士通（Fujitsu）推出的高性能、低功耗的串行外设接口（SPI）存储器芯片，专为需要高可靠性和高速数据存取的应用场景设计。该器件基于FRAM（铁电随机存取存储器）技术，结合了传统RAM的高速读写能力和非易失性存储器的数据保持特性，能够在断电情况下长期保存数据，且无需备用电源支持。MB87J4990PMT-G-BND提供512Kbit的存储容量，组织形式为64K x 8位，通过标准四线SPI接口（SCK、SI、SO、/CS）进行通信，兼容性强，适合嵌入式系统、工业控制、医疗设备和汽车电子等多种应用领域。
该芯片的工作电压范围为3.0V至3.6V，支持最高100MHz的SPI时钟频率，具备极高的写入耐久性，可实现无限次（理论上达10^14次）的读写操作，远超传统的EEPROM和Flash存储器。此外，其写入过程无需延时，数据即时保存，避免了写入等待时间，提升了系统整体效率。MB87J4990PMT-G-BND采用小型化的8引脚TSSOP封装，节省PCB空间，适用于对尺寸敏感的设计。器件符合RoHS环保要求，并具备良好的抗辐射和抗干扰能力，适合在严苛环境下稳定运行。
型号：MB87J4990PMT-G-BND
制造商：Fujitsu
存储类型：FRAM（非易失性）
存储容量：512 Kbit (64K × 8)
接口类型：SPI（四线制）
工作电压：3.0V ~ 3.6V
最大时钟频率：100 MHz
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
封装类型：8-TSSOP
写入耐久性：> 10^14 次
数据保持时间：10年（典型值）
访问时间：无写入延迟
封装尺寸：3mm × 4.4mm × 0.9mm
引脚数：8
是否无铅：是
是否符合RoHS：是
MB87J4990PMT-G-BND的核心技术基于铁电存储单元（Ferroelectric Cell），其工作原理不同于传统的浮栅型EEPROM或Flash存储器。它利用铁电材料的极化状态来存储数据，这种极化状态在外部电场作用下可以快速切换，并且在断电后仍能保持稳定，从而实现了兼具RAM速度与非易失性的独特优势。该芯片支持字节级写入操作，无需扇区擦除或页面编程流程，极大地简化了软件控制逻辑，减少了系统开销。由于没有擦除机制，写入寿命几乎不受限制，可达到10^14次以上，这意味着在大多数应用场景中不会因写入次数而出现器件老化问题。
该器件的另一个显著特点是“即时写入”能力。与EEPROM或Flash在写入后需要数十毫秒的写入周期不同，MB87J4990PMT-G-BND在完成SPI传输后立即完成数据存储，无需等待写入完成信号。这一特性对于需要频繁记录传感器数据、日志信息或配置参数的系统尤为重要，能够有效防止因突然断电导致的数据丢失。此外，其高速读写性能（支持高达100MHz SPI时钟）使得它可以在实时控制系统中作为临时缓存和持久化存储的统一介质使用，减少对外部SRAM和EEPROM的依赖，降低系统复杂度和成本。
在可靠性方面，MB87J4990PMT-G-BND具有出色的抗辐射和抗电磁干扰能力，适合用于工业自动化、车载电子和医疗设备等高要求环境。其宽温工作范围（-40°C 至 +85°C）确保在极端温度条件下仍能稳定运行。同时，该芯片在制造过程中采用了先进的晶圆级工艺控制，保证了批次间的一致性和长期供货稳定性。此外，器件内置写保护功能，可通过软件命令或硬件/WR保护引脚防止误写操作，进一步增强数据安全性。
MB87J4990PMT-G-BND广泛应用于对数据写入频率高、可靠性要求严苛的嵌入式系统中。在工业控制领域，常用于PLC（可编程逻辑控制器）、远程I/O模块和智能传感器中，用于实时记录运行参数、校准数据和故障日志，即使在频繁启停或突发断电情况下也能确保关键信息不丢失。在汽车电子系统中，该芯片可用于车身控制模块（BCM）、仪表盘和ADAS（高级驾驶辅助系统）中，存储车辆配置、驾驶习惯数据和事件记录，满足AEC-Q100可靠性标准的相关要求。
在医疗设备方面，MB87J4990PMT-G-BND适用于便携式监护仪、血糖仪和输液泵等设备，用于存储患者数据、操作记录和设备校准信息，确保数据安全且无需电池备份。在消费类电子产品中，如高端智能电表、POS终端和智能家居控制器，该芯片可替代传统EEPROM，提升写入速度和寿命，延长产品使用寿命。此外，在通信设备和网络模块中，可用于存储固件配置、MAC地址和网络状态信息，支持快速启动和动态更新。其小尺寸封装也使其非常适合空间受限的便携式和可穿戴设备设计。
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"MB85RS5MT",
"CY15B104QSN",
"FM25V05-GTR"
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