时间：2025/6/12 2:16:31
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C1210N223J050T 是一种多层陶瓷电容器 (MLCC)，属于片式电容器的一种。它主要用于电路中的旁路、去耦、滤波和储能等应用。该型号符合行业标准，具有高可靠性、低等效串联电阻 (ESR) 和高频性能特点。
其封装尺寸为 1210（3.2mm x 2.5mm），额定容量为 22nF（代码 223 表示 22 x 10^3 pF = 22nF），容差为 ±5%（J 级），额定电压为 50V（050 表示）。该电容器采用 X7R 温度特性材料，适用于商业及工业环境。
封装：1210
容量：22nF
容差：±5%
额定电压：50V
温度特性：X7R (-55°C to +125°C, 容量变化 ≤ ±15%)
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
直流偏置特性：具体需查阅制造商数据表
等效串联电阻 (ESR)：低
等效串联电感 (ESL)：低
C1210N223J050T 具备以下显著特性：
1. 高稳定性：由于采用了 X7R 介质材料，该电容器在温度变化范围内表现出较小的容量漂移。
2. 小型化设计：1210 封装使其适合紧凑型 PCB 布局，同时保持较高的电气性能。
3. 高频性能优越：低 ESR 和低 ESL 特性使该型号在高频应用中表现出色，例如射频滤波或高速数字电路的电源去耦。
4. 耐焊接热冲击能力强：符合现代 SMT（表面贴装技术）工艺要求，能够承受回流焊过程中的高温。
5. 可靠性高：经过严格的筛选和测试，确保长时间使用下的稳定性和耐用性。
C1210N223J050T 主要应用于以下领域：
1. 电源去耦：用于降低电源线上的噪声，保持稳定的供电电压。
2. 滤波电路：在模拟和数字电路中用于平滑信号或去除不需要的频率成分。
3. 信号耦合与解耦：在放大器或其他信号处理电路中起到隔离直流分量的作用。
4. 能量存储：在脉冲电路或需要短时能量释放的应用中提供快速响应能力。
5. 高频电路：适用于无线通信设备、雷达系统等高频应用场景。
C1210C223J050AA, GRM32EC7J223JE01D, B44264B223J*050
