时间：2025/8/15 0:43:52
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SVT10150VB是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电压、高电流应用设计。该器件采用先进的STripFET?技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于电源管理、电机控制、电池充电、DC-DC转换器以及各种开关电源应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：160A（Tc=25°C）
功耗（Ptot）：250W
导通电阻（Rds(on)）：≤5.5mΩ（在Vgs=10V时）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-264（表面贴装）或TO-247（通孔）
SVT10150VB采用了STMicroelectronics先进的STripFET? F7技术，使其在高电流和高电压环境下依然能够保持较低的导通损耗和优异的开关性能。该器件的Rds(on)非常低，有助于减少功率损耗并提高系统效率。此外，其强大的电流处理能力和良好的热管理特性使其适用于高功率密度应用。
SVT10150VB的栅极驱动电压范围为±20V，具有良好的栅极稳定性，支持快速开关操作，从而降低开关损耗。该MOSFET还具备较高的雪崩能量承受能力，能够在极端条件下保持稳定运行。
封装方面，SVT10150VB采用TO-264或TO-247封装形式，提供良好的散热性能，适合高功率应用。其封装材料符合RoHS环保标准，可满足工业和汽车电子领域的严格要求。
SVT10150VB广泛应用于各种高功率电子系统中，包括工业电源、服务器电源、不间断电源（UPS）、电动工具、电动车电池管理系统（BMS）、电机驱动器、DC-DC转换器、太阳能逆变器和汽车充电设备等。其高电流能力和低导通电阻特性使其成为高效能、高可靠性电源设计的理想选择。
STP150N10F7-1, IPW90R150P-1
