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BZY88C30 发布时间 时间:2025/12/27 18:20:10 查看 阅读:19

BZY88C30是一款硅平面齐纳二极管,主要用于电压基准和稳压应用。该器件由NXP Semiconductors等知名半导体制造商生产,具有良好的温度稳定性和低动态电阻特性,能够在较宽的电流范围内提供稳定的参考电压。BZY88C30的标称齐纳电压为30V,在规定的测试条件下(通常为5mA)能够保持较高的电压精度。该系列二极管采用DO-35玻璃封装,体积小巧,适合通孔安装,广泛应用于模拟电路、电源管理模块、信号调理电路以及需要精确电压参考的场合。由于其良好的长期稳定性和低噪声性能,BZY88C30也常用于精密测量仪器和工业控制设备中作为基准源。此外,该器件具备较高的可靠性,符合RoHS环保要求,并通过了多项国际质量认证,适用于多种工业级应用场景。

参数

类型:齐纳二极管
  封装/包装:DO-35
  是否无铅:是
  是否环保:是
  标称齐纳电压:30V
  测试电流:5mA
  最大齐纳阻抗:40Ω
  最大功率耗散:500mW
  工作结温范围:-65°C ~ +200°C
  温度系数:+8mV/°C(典型值)
  最大反向漏电流:1μA(在额定电压下)

特性

BZY88C30齐纳二极管具备优异的电气性能和热稳定性,使其成为高精度电压参考设计中的理想选择。其核心特性之一是稳定的30V齐纳击穿电压,在5mA的标准测试电流下能够维持±5%以内的电压容差(具体取决于制造批次和等级),确保系统在长时间运行中保持一致的稳压效果。该器件采用成熟的硅平面制造工艺,具有较低的动态内阻(最大40Ω),这意味着在负载电流变化时输出电压波动较小,提升了系统的稳压能力。此外,BZY88C30拥有出色的温度系数表现,典型值为+8mV/°C,虽然为正值,但在高温环境下仍能保持相对可预测的电压漂移行为,便于进行温度补偿设计。
  该二极管的DO-35封装不仅结构紧凑,还具备良好的散热性能和机械强度,适用于PCB通孔焊接工艺。其最大功耗为500mW,结合热阻参数可在合理布局下实现有效热管理,避免因过热导致性能下降或失效。BZY88C30的工作结温范围极宽,从-65°C到+200°C,使其能够在极端环境温度下可靠运行,适用于工业、汽车及恶劣环境下的电子设备。器件的反向漏电流极低,在额定电压下不超过1μA,有助于降低待机功耗并提高能效。此外,该器件具有良好的长期稳定性,经过老化筛选后电压漂移小,适合用于对精度要求较高的模拟前端电路。由于其符合RoHS指令且不含铅,满足现代电子产品对环保材料的要求,广泛应用于消费类电子、通信设备和自动化控制系统中。

应用

BZY88C30广泛应用于需要稳定30V参考电压的各种电子电路中。常见用途包括作为线性稳压电源中的电压基准元件,配合运算放大器或晶体管构成闭环稳压系统,提升输出电压的精度与稳定性。在模拟信号处理电路中,它可用于偏置电压设置、电平转换或钳位保护,防止信号超出安全范围。此外,该器件也常用于ADC和DAC等数据转换器的参考电压源,尤其是在非隔离式中小功率电源模块中作为辅助稳压单元。
  在工业控制领域,BZY88C30被用于传感器信号调理电路中,为放大器提供稳定的供电参考,减少因电源波动引起的测量误差。在测试与测量仪器中,如示波器、万用表或电源供应器内部,该齐纳二极管可用于构建精密电压基准网络,保障仪器校准精度。由于其良好的温度特性和长期可靠性,也被应用于汽车电子模块(如ECU辅助电源)、通信基站电源监控电路以及医疗设备中的低功耗稳压单元。此外,在一些老式或成本敏感的设计中,BZY88C30还可替代更昂贵的带隙基准芯片,实现经济高效的电压稳定方案。

替代型号

BZX85C30,BZY97C30,1N5379B

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