TFM-106-02-S-D-LC-K 是一款高性能的贴片式薄膜电容器,专为高频和射频应用设计。该型号采用金属化薄膜技术,具有低等效串联电阻(ESR)和低损耗角正切值,能够有效降低信号传输中的能量损耗。这种电容器广泛应用于通信设备、滤波电路、DC-DC转换器以及音频处理系统中。
类型:薄膜电容器
封装:贴片式
容量范围:1nF - 100nF
额定电压:50V - 200V
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
尺寸:10.6mm x 5.3mm
绝缘耐压:300V AC
损耗角正切值:≤0.0005
频率特性:支持高达 1GHz 的应用
这款电容器采用了先进的金属化聚丙烯膜技术,具备优异的自愈性能,能够在轻微击穿后自动修复,从而延长使用寿命。
其超低的 ESR 和损耗角正切值使得 TFM-106-02-S-D-LC-K 在高频条件下表现出色,同时显著减少发热问题。
此外,该产品具有高度稳定的电气性能,即使在极端温度环境下也能保持一致的特性。
由于其小型化的贴片设计,这款电容器非常适合空间受限的应用场景,并且易于自动化焊接生产。
TFM-106-02-S-D-LC-K 主要应用于需要高稳定性和低损耗的场合,例如:
1. 高频通信设备中的滤波和耦合电路。
2. 射频模块中的匹配网络和阻抗调整。
3. 音频放大器中的旁路和去耦电容。
4. DC-DC 转换器的输入输出滤波。
5. 医疗电子设备中的精密信号处理部分。
6. 工业控制系统的电源管理单元。
TFM-106-02-S-D-HC-K
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