类型：齐纳二极管
　　击穿电压：30 V
　　最大齐纳电流：200 mA
　　最大功耗：1 W
　　工作温度范围：-65°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-65°C ~ +150°C
　　封装类型：DO-41

BZX85C30RL2 齐纳二极管具有多个关键特性，使其在电子电路中具有广泛的应用。首先，它的击穿电压为30V，具有较高的精度和稳定性，能够在反向击穿区域保持稳定的电压输出，适用于需要高精度电压参考的电路。其次，该器件的最大齐纳电流为200mA，最大功耗为1W，能够承受较高的功率，适用于需要较大电流能力的稳压应用。
　　此外，BZX85C30RL2 的工作温度范围为-65°C至+150°C，存储温度范围同样为-65°C至+150°C，具备良好的温度适应能力，适合在极端温度环境下使用。其DO-41封装形式不仅便于安装，还具有良好的散热性能，确保在高功耗情况下的稳定运行。该器件还具有较低的动态电阻，有助于减少电压波动并提高稳压性能，适用于高精度电源管理电路。

BZX85C30RL2 主要应用于电压基准源、稳压电路、过压保护电路、电源适配器、电池管理系统、测试仪器以及工业控制设备中。在电源管理电路中，它常用于提供稳定的参考电压，以确保电路的稳定运行。在电池管理系统中，该齐纳二极管可用于监测和限制充电电压，防止过压损坏电池。在测试设备和测量仪器中，它可用于提供精确的电压参考，提高测量精度。此外，由于其良好的温度稳定性和较高的功率承受能力，BZX85C30RL2 也常用于工业控制系统中的稳压和保护电路中。

1N4744A, BZX84C30, BZX85C30