电容值：10 nF
　　容差：±0.1 pF
　　额定电压：50 V
　　温度系数：C0G（NP0）
　　封装尺寸：0805（2012 公制）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　介质材料：陶瓷（C0G/NP0）
　　绝缘电阻：10,000 MΩ 最小
　　耗散因数：≤0.15%

MCH182AN103CC 是一种高性能多层陶瓷电容器，采用 C0G（NP0）类陶瓷介质，具有极高的电容稳定性。其电容值不会随温度、电压或时间发生显著变化，这使得它非常适合用于高精度和高稳定性的电路中。这种电容器的耗散因数非常低，通常小于 0.15%，这意味着它在高频应用中具有极低的能量损耗。此外，MCH182AN103CC 的绝缘电阻高达 10,000 MΩ 或更高，确保了电路中的最小漏电流。其额定电压为 50V，能够在中高压应用中可靠运行，同时其容差为 ±0.1 pF，提供了极高的精度。这种电容器还具有良好的机械强度和抗老化性能，能够在恶劣的环境条件下保持稳定的工作性能。此外，MCH182AN103CC 采用 0805（2012 公制）封装，适合表面贴装工艺（SMT），便于自动化生产和高密度电路布局。由于其优异的电气性能和稳定性，MCH182AN103CC 被广泛用于射频（RF）电路、精密放大器、振荡器和滤波器等关键电路中。

MCH182AN103CC 多层陶瓷电容器广泛应用于需要高稳定性和低损耗的电子电路中。它常用于射频（RF）电路中的滤波和匹配网络，以确保信号的纯净性和稳定性。在精密放大器电路中，MCH182AN103CC 可用于耦合和去耦，以减少噪声和干扰。它还常用于振荡器电路中，作为关键的定时元件，以提供稳定的频率输出。此外，MCH182AN103CC 也适用于数字电路中的电源去耦，以减少高频噪声对系统性能的影响。在医疗电子设备中，这种电容器可用于高精度信号处理电路，以确保测量结果的准确性。在汽车电子系统中，MCH182AN103CC 可用于发动机控制单元（ECU）和车载娱乐系统，以提供稳定的电容性能。在工业控制系统中，它可以用于滤波和去耦，以提高系统的可靠性和稳定性。由于其优异的电气性能和宽工作温度范围，MCH182AN103CC 还适用于航空航天和军事电子设备中的高可靠性电路。

GRM188R71H103KA01D
　　CL21A103KBQNNNE
　　KR18AN103CC