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BZX84J-C3V3 发布时间 时间:2025/9/15 1:49:11 查看 阅读:13

BZX84J-C3V3 是一款由 Nexperia(安世半导体)生产的表面贴装(SOT23 封装)齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压参考和稳压应用。该器件具有稳定的反向击穿电压特性,适用于低功耗电子系统中对电压进行精确控制。其标称齐纳电压为 3.3V,在额定电流条件下可提供稳定的参考电压。

参数

类型:齐纳二极管
  封装类型:SOT23
  最大耗散功率:300mW
  齐纳电压(标称值):3.3V
  齐纳电流(测试条件):10mA
  最大齐纳阻抗:90Ω
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  最大反向漏电流(VR=1V):100nA

特性

BZX84J-C3V3 具备良好的电压稳定性和较小的温度漂移,能够在较宽的工作温度范围内保持其齐纳电压的稳定性。由于其采用 SOT23 封装,体积小巧,适合在空间受限的 PCB 设计中使用。该器件的齐纳电压容差为 ±2%,适用于对电压精度要求较高的场合。此外,其低功耗特性和较高的可靠性使其在便携式设备和电池供电系统中表现出色。
  该齐纳二极管的制造工艺成熟,具有良好的长期稳定性,能够在各种环境条件下保持稳定的电压参考。BZX84J-C3V3 的封装结构具有良好的热性能,能够有效散热,从而保证器件在高负载条件下的稳定运行。此外,该器件广泛用于电压检测、电源管理、信号调节和基准电压源等应用中。

应用

该齐纳二极管广泛应用于以下领域:模拟和数字电路中的电压参考、低功耗稳压电路、电池供电设备中的电压监测、电压比较器电路、LED 驱动电路中的限压保护、电源管理系统中的过压保护电路、微控制器系统中的复位电压设定等。此外,它也可用于传感器电路、工业控制设备、消费类电子产品和通信模块中。

替代型号

MM3Z3V3B, LNZ3V3B, SZ1SMA4333T1G, BZX84C3V3, ZMM3V3

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