K1314是一款低功耗、高稳定性的双极型晶体管阵列芯片,广泛应用于放大电路、开关电路和逻辑控制电路中。该器件由多个晶体管组成,能够提供一致的电气性能,适用于各种中低功率电子设备。
晶体管类型:NPN
最大集电极电流(Ic):100mA
最大集电极-发射极电压(Vce):30V
最大发射极-基极电压(Veb):5V
最大功耗(Pd):300mW
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:SIP或DIP
K1314芯片采用先进的双极工艺制造,具有良好的热稳定性和可靠性。其内部集成多个晶体管,减少了外部元件的数量,简化了电路设计。此外,该芯片的低功耗特性使其在电池供电设备中表现出色。每个晶体管单元之间具有良好的隔离性,避免了相互干扰,提高了整体电路的稳定性。K1314还具备较高的增益带宽积,适用于高频放大应用。
该器件的封装形式多样,包括SIP和DIP等,便于在不同类型的电路板上安装和使用。同时,其标准化的引脚排列和参数规格,使得替换和维护更加方便。
K1314常用于音频放大器、逻辑控制电路、开关电源、传感器接口电路以及各类消费电子产品中。其高稳定性和集成化设计也使其在工业自动化和通信设备中有广泛应用。
K1313, K1315, ULN2003