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IXTH26P20P 发布时间 时间:2025/8/6 12:05:09 查看 阅读:6

IXTH26P20P 是一款由 Littelfuse(原 IXYS 公司)制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛用于高功率开关应用。这款 MOSFET 具有低导通电阻、高耐压和高电流容量等特性,适用于电源转换、电机控制和逆变器设计等领域。其封装形式为 TO-247,便于散热和安装。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  漏源电压(Vds):200V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):26A
  导通电阻(Rds(on)):0.085Ω(最大)
  功率耗散(Pd):200W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-247

特性

IXTH26P20P 的主要特性之一是其低导通电阻(Rds(on)),这有助于减少导通损耗并提高效率。该器件的高耐压能力(200V)使其适用于多种高电压应用,同时能够承受较大的漏极电流(26A)。
  此外,该 MOSFET 具有良好的热稳定性和高功率耗散能力(200W),可在高温环境下稳定运行。TO-247 封装设计不仅有助于散热,还便于与散热片连接,从而进一步提高器件的热管理性能。
  该器件的栅极驱动要求较低,通常在 10V 左右即可完全导通,适用于常见的 MOSFET 驱动电路。此外,IXTH26P20P 的响应速度快,适合高频开关应用,能够有效减少开关损耗。

应用

IXTH26P20P 常用于需要高功率密度和高效能的电子系统中。其典型应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动器和电池管理系统等。在工业自动化和电动汽车领域,该器件可用于功率调节和能量管理。此外,它也可用于太阳能逆变器、UPS(不间断电源)系统以及高功率 LED 照明驱动电路。由于其优良的导通和开关性能,IXTH26P20P 在需要高可靠性和高效率的场合中表现出色。

替代型号

IRFZ44N, FDPF26N20, STP26NM20ND

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IXTH26P20P参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PolarP™
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C26A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C170 毫欧 @ 13A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs56nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2740pF @ 25V
  • 功率 - 最大300W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247
  • 包装管件