IXTH26P20P 是一款由 Littelfuse(原 IXYS 公司)制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛用于高功率开关应用。这款 MOSFET 具有低导通电阻、高耐压和高电流容量等特性,适用于电源转换、电机控制和逆变器设计等领域。其封装形式为 TO-247,便于散热和安装。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压(Vds):200V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):26A
导通电阻(Rds(on)):0.085Ω(最大)
功率耗散(Pd):200W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-247
IXTH26P20P 的主要特性之一是其低导通电阻(Rds(on)),这有助于减少导通损耗并提高效率。该器件的高耐压能力(200V)使其适用于多种高电压应用,同时能够承受较大的漏极电流(26A)。
此外,该 MOSFET 具有良好的热稳定性和高功率耗散能力(200W),可在高温环境下稳定运行。TO-247 封装设计不仅有助于散热,还便于与散热片连接,从而进一步提高器件的热管理性能。
该器件的栅极驱动要求较低,通常在 10V 左右即可完全导通,适用于常见的 MOSFET 驱动电路。此外,IXTH26P20P 的响应速度快,适合高频开关应用,能够有效减少开关损耗。
IXTH26P20P 常用于需要高功率密度和高效能的电子系统中。其典型应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动器和电池管理系统等。在工业自动化和电动汽车领域,该器件可用于功率调节和能量管理。此外,它也可用于太阳能逆变器、UPS(不间断电源)系统以及高功率 LED 照明驱动电路。由于其优良的导通和开关性能,IXTH26P20P 在需要高可靠性和高效率的场合中表现出色。
IRFZ44N, FDPF26N20, STP26NM20ND