时间：2025/6/6 18:45:11
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NV1808B102K302CEKN 是一款由 Nexperia 生产的高压 MOSFET 芯片，属于 P 沟道增强型功率场效应晶体管。该芯片采用 DPAK (TO-252) 封装形式，适用于多种高效率开关电源、负载切换和电机驱动等应用领域。
这款器件以其低导通电阻和高电压耐受能力而著称，可显著降低能耗并提高系统可靠性。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：-10A
栅源电压范围：-10V 至 0V
导通电阻（典型值）：15mΩ
总功耗：1.3W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
NV1808B102K302CEKN 的主要特点是其卓越的电气性能与封装设计优化：
1. 高击穿电压允许它在苛刻的高压环境中运行，同时保证稳定的性能输出。
2. 极低的导通电阻减少了传导损耗，从而提高了整体效率，并且降低了发热。
3. 它具备快速开关速度，能够减少开关损耗，在高频应用场景中表现出色。
4. 工作温度范围宽广，从极端寒冷到高温环境均可正常工作，确保了器件在各种条件下的稳定性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且支持现代绿色制造理念。
该芯片广泛应用于需要高效功率转换和控制的场合，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)，例如适配器和充电器中的同步整流电路。
2. 电池管理系统 (BMS)，用于保护电池组免受过充或过放的影响。
3. 固态继电器和负载开关，以实现对不同负载的精确控制。
4. 电机驱动和逆变器电路，提供高效的功率传递和控制功能。
5. LED 驱动器，用于调节电流以保持 LED 照明系统的亮度一致性。
IRF9530NPBF
BSS84L
SI2313DS
FDC650P
