类型：齐纳二极管
　　标称齐纳电压：3.0V（在测试电流Iz=5mA时）
　　最大齐纳电流：200mA
　　最大耗散功率：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23
　　引脚数：3
　　极性：单向齐纳
　　最大反向漏电流（VR < VZ）：100nA（典型值）
　　齐纳阻抗（Zzt）：90Ω（最大值）

BZX84C3V0-TP齐纳二极管具有多个显著的电气和物理特性，适合广泛的应用场景。首先，其稳定的3.0V齐纳电压使其适用于作为电压参考源，尤其是在模拟和混合信号电路中。该器件的动态阻抗较低，有助于在负载变化时保持稳定的电压输出。此外，BZX84C3V0-TP的响应速度快，能够快速应对电压波动，因此可应用于电路的瞬态电压抑制和保护。
　　该器件的工作温度范围宽，从-55°C到+150°C，适应各种环境条件下的稳定运行。SOT-23封装形式不仅节省空间，还便于自动化贴片工艺，提高生产效率。此外，其低反向漏电流特性在低功耗电路中尤为重要，有助于延长电池供电设备的使用寿命。
　　由于其良好的温度稳定性和长期可靠性，BZX84C3V0-TP广泛应用于消费类电子产品、工业控制系统、汽车电子、便携式设备等领域。

BZX84C3V0-TP齐纳二极管常用于以下应用场景：电压基准源：在模拟电路、ADC/DAC模块中提供稳定的3.0V参考电压；电压调节：在低功耗电源电路中用于稳压，如电池供电系统的电压限制；过压保护：作为保护元件用于防止敏感电路受到电压瞬变的损害；信号调理：在传感器电路中用于信号电平调节和限幅；便携设备：如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源管理与参考电压源。

BZX84C3V0, MMSZ4684T1G, 1N4728A-TR, BZV4943V0