时间：2025/6/14 14:18:22
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UMK063CH100DTHF 是一款高性能的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用 TO-263 封装形式。该器件适用于高功率应用场合，例如开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和工业控制等。它具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，能够显著提高系统的效率和稳定性。
这种 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，其设计使其能够在高频工作条件下保持较低的损耗。同时，该型号具备良好的热性能，确保在严苛环境下的可靠性。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：78A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：100nC
总电容：2200pF
工作温度范围：-55℃ to 175℃
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提升整体效率。
2. 高击穿电压使得该器件适合高压应用环境。
3. 快速开关特性允许更高的工作频率，从而减小外部元件尺寸。
4. 强大的散热能力保证了长期稳定运行。
5. 具备优异的抗雪崩能力和短路耐受时间，增强了系统可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电路设计中。
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管或同步整流器。
2. DC-DC 转换器的核心功率器件。
3. 工业电机驱动中的逆变桥臂元件。
4. 太阳能微逆变器及储能系统的功率转换模块。
5. 电动汽车充电桩和其他高功率密度设备的关键组件。
6. 电信基站电源及其他需要高效能量转换的应用场景。
UMK063CH100DTGQ, IRFZ44N, FDP55N10
