2SK960 时间：2025/8/9 16:01:30 阅读：19

2SK960是一种N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛用于开关电源、电机控制、DC-DC转换器和其他高功率应用。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　漏极电流（ID）：15A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.38Ω（最大）
　　功耗（PD）：75W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

特性

2SK960具有多个显著的电气和物理特性，使其在高功率电子应用中表现优异。首先，其漏源电压高达500V，使其能够承受较高的电压应力，适用于高压电源转换系统。其次，该MOSFET的最大漏极电流为15A，适合中等功率级别的应用，如电源供应器、逆变器和电机驱动器。
　　导通电阻是MOSFET性能的重要指标之一，2SK960的RDS(on)最大为0.38Ω，这意味着在导通状态下，其功率损耗相对较低，有助于提高系统的整体效率。此外，该器件的栅源电压容限为±30V，允许一定的驱动电压波动，增强了其在复杂电路中的稳定性。
　　2SK960采用TO-220封装形式，具有良好的散热性能，适用于需要良好热管理的场合。该封装也便于安装在散热片上，进一步提升其在高功率条件下的可靠性。此外，该MOSFET具有快速开关特性，减少了开关过程中的能量损耗，提升了系统的动态响应能力。
　　从工作温度范围来看，2SK960能够在-55°C至+150°C的极端温度环境下正常工作，适应性强，适用于工业控制、航空航天和汽车电子等多种应用场景。

应用

2SK960因其高电压、中等电流能力和良好的导通性能，广泛应用于多个领域。在电源管理方面，常用于开关电源（SMPS）、AC-DC转换器和DC-DC转换器中，作为主开关元件，以实现高效的能量转换。在电机控制方面，该器件可用于驱动直流电机、步进电机和无刷电机，适用于工业自动化设备、机器人和电动工具等场景。
　　此外，2SK960也适用于逆变器设计，如太阳能逆变器和UPS（不间断电源）系统，其高耐压和快速开关特性能够有效提升系统的稳定性和效率。在照明领域，该MOSFET可用于LED驱动电源和高频镇流器，提供稳定可靠的功率控制。
　　在汽车电子方面，2SK960可用于车载充电器、启动系统和电动助力转向系统等应用，其宽工作温度范围和高可靠性使其能够适应汽车环境中的严苛条件。